[发明专利]一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件

权利要求书

1.一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：

（1）、成型导体/半导体层，

（2）、沉积电介质层，

步骤2：

（1）、使用双层光刻胶：在电介质层上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，其中：第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层，

（2）、通过光刻在第一光刻胶层、第二光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并且第一光刻胶层蚀刻的开口宽度大于第二光刻胶层蚀刻的开口宽度，第二光刻胶层的开口向两侧倾斜，

步骤3：调整第二光刻胶层的厚度、开口形状，使第二光刻胶层的开口向中间倾斜，

步骤4：沉积金属导体，金属导体向两侧倾斜覆盖部分电介质层，且覆盖两侧电介质层的宽度相等，

步骤5：剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。

2.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：在步骤2中：通过控制曝光条件，调节第一光刻胶层、第二光刻胶层蚀刻的开口宽度、开口形状。

3.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：在步骤2中：采用干法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：在步骤3中：通过等离子体处理对第二光刻胶层进行调整。

5.根据权利要求4所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：该等离子体包括O₂、He、Ar、N₂中的一种或组合。

6.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：在步骤4中，通过电子束或溅射方式沉积金属导体。

7.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：在步骤5中，采用Liftoff工艺对第一光刻胶层、第二光刻胶层进行剥离。

8.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：所述的半导体层采用硅晶片。

9.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，其特征在于：所述的电介质层采用SiO₂或SiN。

10.一种器件，其特征在于：其包括权利要求1至9中任意一项权利要求所述的方法形成的栅极结构。