[发明专利]一种在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法及器件在审
| 申请号： | 202011500550.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112614778A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;武乐可;夏远洋;张葶葶;朱友华;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/49;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 形成 多功能 电极 方法 | ||
1.一种在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：
形成外延结构：在基层上生长缓冲层，在缓冲层上生长沟道层，在沟道层上生长势垒层，在势垒层上生长p-GaN层，使二维电子气在沟道层与势垒层之间的界面处完全耗尽，
步骤2：
对p-GaN层进行蚀刻，保留用于形成栅极的p-GaN区域，使二维电子气在除p-GaN区域下方以外的沟道层与势垒层之间的界面处重新出现，
步骤3：
（1）、沉积钝化层，
（2）、在注入电极的位置对钝化层进行蚀刻至势垒层形成空穴，
步骤4：
在空穴位置的势垒层上生长附加势垒层，在附加势垒层上生长p-GaN层，并保持二维电子气不耗尽，
步骤5：
在p-GaN区域上形成栅极，形成源极、漏极，在p-GaN层上注入电极，并使注入电极自动连接到漏极，
步骤6：
在p-GaN区域处形成电介质层。
2. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：在步骤1中：势垒层的厚度为5-20nm，使得器件的阈值电压Vth在设定范围内。
3. 根据权利要求2所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：设定的阈值电压Vth=1-2V。
4. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：在步骤4中：采用选择区域生长方式生长附加势垒层。
5. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：在步骤4中：采用MOCVD技术在附加势垒层上生长p-GaN层。
6. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：在步骤4中：附加势垒层的生长厚度为20〜60nm。
7. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：在步骤4中：所述的附加势垒层为AlGaN层。
8. 根据权利要求1所述的在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法，其特征在于：所述的缓冲层为GaN或AlGaN层，所述的沟道层为GaN层，所述的势垒层为AlGaN层。
9. 一种器件，其特征在于：其包括权利要求1至8中任意一项权利要求所述的在GaNHEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法形成的结构。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于：所述的器件包括常开型GaN基MIS-HEMT。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏能华微电子科技发展有限公司，未经江苏能华微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011500550.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
