[发明专利]一种TC-SAW谐振器及制造方法

权利要求书

1.一种TC-SAW谐振器，包括：

高声速材料的衬底层；

位于所述高声速材料衬底层之上的压电材料为单晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的压电层，所述压电层厚度为λ；

设在所述压电层上的电极；

在所述压电层上覆盖的LGS层，所述LGS层的厚度为0.2λ，欧拉角为(0°,90°,90°)，

其中，λ是所述电极激发的声波波长。

2.如权利要求1所述的TC-SAW谐振器，其特征在于，所述衬底层的高声速材料选自Si、SiN、Al₂O₃、3C-SiC、金刚石、W、4H-SiC或6H-SiC中的至少一种，所述衬底层厚度为50λ。

3.如权利要求1所述的TC-SAW谐振器，其特征在于，所述电极宽度和电极之间的间距均为0.25λ，电极厚度为200nm，电极沿孔径长度为10λ，电极指对数为1000对，所述电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni金属或合金、或者这些金属或合金的层叠体构成。

4.如权利要求1所述的TC-SAW谐振器，其特征在于，所述电极埋入所述压电层。

5.如权利要求1所述的TC-SAW谐振器，其特征在于，所述电极不埋入所述压电层。

6.一种TC-SAW谐振器的制造方法，包括：

对欧拉角为(0°，90°，90°)的LGS层的基板进行预处理；

在经预处理的所述LGS层的基板上定义IDT金属层沟壑图形；

刻蚀出IDT金属填埋沟；

沉积IDT金属层填满所述IDT金属层沟壑并溢出；

对溢出的IDT金属进行减薄，形成嵌入所述LGS层IDT金属电极；

对LGS层的未嵌入IDT金属电极的面进行减薄；

对压电材料为单晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的压电层的基板进行预处理；

将衬底层与经预处理的所述压电层进行低温键合；以及

将所述压电层未与所述衬底层键合的那面与所述LGS层的嵌有IDT金属电极的那面进行低温键合。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述LGS层的基板厚度为5μm，所述IDT金属层沟壑图形线宽为0.25μm，所述IDT金属填埋沟深度为200nm，所述电极厚度为200nm。

8.一种TC-SAW谐振器的制造方法，包括：

对压电材料为单晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的压电层的基板进行预处理；

在经预处理的压电层的基板上涂覆正性光刻胶；

对所述正性光刻胶进行曝光、显影后定义出IDT金属层全埋沟壑图形；

刻蚀出衬底IDT金属填埋沟；

去除光刻胶；

沉积IDT金属层填满所述IDT金属层全埋沟壑并溢出；

对溢出的IDT金属进行减薄，形成嵌入所述压电层IDT金属电极；

将欧拉角为(0°，90°，90°)的LGS层的基板与所述压电层的嵌有IDT金属电极那面进行低温键合；以及

将所述压电层的未嵌有IDT金属电极那面与高声速材料衬底层进行低温键合。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述正性光刻胶2厚度范围在1μm～2μm，所述IDT金属层全埋沟壑图形线宽为250nm，所述IDT金属填埋沟深度为200nm，所述电极厚度为200nm。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，沉积IDT金属层的总厚度范围300～500nm。