[发明专利]一种高效钝化结构电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效钝化结构电池，其特征是，包括P型晶硅（1）、设于所述P型晶硅（1）正面的两个负电极（2）和设于所述P型晶硅（1）背面的两个正电极（3），所述P型晶硅（1）的背面设有SiO₂层（4），所述SiO₂层（4）上设有Ga₂O₃/AlN/Ta₂O₅叠层钝化膜（5）。

2.根据权利要求1所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，所述P型晶硅（1）的正面由内向外依次设有N+层（8）、SiO₂层（4）、SiN_x层（7）及SiO_xN_y层（6），所述正电极（2）穿过SiO_xN_y层（6）、SiN_x层（7）、SiO₂层（4）及N+层（8）。

3.根据权利要求2所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，所述负电极（2）与P型晶硅（1）之间的接触区域设有N++层（9）。

4.根据权利要求1或2所述的一种高效钝化结构电池，其特征是， 所述P型晶硅（1）的背面由内向外依次设有SiO₂层（4）、Ga₂O₃/AlN/Ta₂O₅叠层钝化膜（5）、SiO_xN_y层（6）及SiN_x层（7）。

5.根据权利要求1或2所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，Ga₂O₃/AlN/Ta₂O₅叠层钝化膜（5）的排列顺序依次为Ga₂O₃层（5.1）、AlN层（5.2）及Ta₂O₅层（5.3），所述Ga₂O₃层（5.1）与所述SiO₂层（4）接触，所述Ta₂O₅层（5.3）与所述SiO_xN_y层（6）接触。

6.根据权利要求4所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，所述正电极（3）依次穿过所述SiN_x层（7）、SiO_xN_y层（6）、Ga₂O₃/AlN/Ta₂O₅叠层钝化膜（5）及SiO₂层（4）与所述P型晶硅（1）相接触。

7.根据权利要求1所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，所述负电极（2）为Ag浆；所述正电极（3）为Al浆。

8.根据权利要求1所述的一种高效钝化结构电池，其特征是，所述Ga₂O₃/AlN/Ta₂O₅叠层钝化膜（5）的总厚度为2-15nm。