[发明专利]一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法

权利要求书

1.一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：提供一鳍式场效应晶体管器件衬底，所述鳍式场效应晶体管器件衬底上的不同位置分布有FIN密集区域和FIN孤立区域，并采用硬掩膜层覆盖填平所述FIN密集区域和FIN孤立区域；

步骤S2：根据工艺要求，确定在所述硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶层的厚度，选取所述抗反射层的厚度范围中的N个厚度值T₁、T₂、…T_N，根据所述抗反射层的N个厚度值T₁、T₂、…T_N分别搭配所述光刻胶层的厚度、所述抗反射层与所述光刻胶层在193纳米波长紫外光下的折射率、以及所述硬掩膜层材料的介电系数，仿真模拟出所述抗反射 层的厚度与反射率关系曲线图；

步骤S3：根据所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图，选择所述抗反射层厚度范围内反射率最低点对应的抗反射层厚度为最佳抗反射层厚度T_i；

步骤S4：确定位于紫外光波长范围中的M个紫外光波长值L₁、L₂、…L_M，其中，所述M个紫外光波长值L₁、L₂、…L_M介于200nm～400nm之间；

步骤S5：根据所述M个紫外光波长值L₁、L₂、…L_M，以及所述抗反射层的最佳厚度Ti，仿真模拟反推出反射率最大时对应的紫外光波长值L_j，所述紫外光波长值L_j介于200nm～400nm之间；

步骤S6：使用上述仿真模拟出的紫外光波长值L_j对所述鳍式场效应晶体管器件衬底进行光刻曝光前曝光区域平坦度的侦测。

2.如权利要求1所述的改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度范围为大于等于A纳米，小于等于B纳米；将所述抗反射层的厚度范围分成N个等份，每一个所述等份的值为X＝(B-A)/N纳米，得到N个所述抗反射层的厚度值A、A+X、A+2X、…A+NX；其中，B＝A+NX。

3.如权利要求1所述的改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，所述紫外光波长值的范围为大于等于C纳米，小于等于D纳米；将所述紫外光波长值范围分成M个等份，每一个所述等份的值为Y＝(D-C)/M纳米，得到M个所述紫外光波长值C、C+X、C+2X、…C+MY；其中，D＝C+MY。

4.如权利要求3所述的鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，所述紫外光波长值范围为248nm～400nm。

5.如权利要求1-4任意一个所述的改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其特征在于，所述仿真模拟利用软件完成，所述软件包括S-litho软件。