[发明专利]一种原位连续调节钙钛矿材料及其制备方法在审
申请号: | 202011501756.6 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112661654A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 徐春祥;张振华;石增良 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C07C209/68 | 分类号: | C07C209/68;C07C211/04;C01G21/00;C09K11/06;C09K11/66 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 金诗琦 |
地址: | 211102 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 连续 调节 钙钛矿 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种原位连续调节钙钛矿材料,分子式为APbE3‑xFx,A为MA或Cs,E、F选自Cl、Br、I中不同的两种,x=aln(t+t0)+c,其中,0≤x≤3,t为反应时间,a、c、t0为修正参数。本发明还公开了一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法,包括以下步骤:步骤一,制备钙钛矿前驱体;步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在石英管中间,将前驱体钙钛矿放在石英管的炉塞口处;步骤三,向石英管通入保护气体排气;步骤四,将石英管加热到60~400℃,冷却至室温。本发明采用气相/固相阴离子交换方法,原材料成本低廉,并且该方法操作简易、可控程度高,工艺简单。
技术领域
本发明涉及钙钛矿材料及其制法,具体为一种原位连续调节钙钛矿材料及其制备方法。
背景技术
钙钛矿凭借其优异的光学、电学等性能,经过短短几年的发展,已成为世界上最瞩目的材料之一。钙钛矿的化学结构式为ABX3,其中A通常是一价阳离子,B为二价金属离子,X为卤化物,因此钙钛矿材料的组分多样,其性质也随之改变。
申请号为201710764812.7的中国专利公开了一种铯铅溴无机钙钛矿薄膜的制备方法,但存在以下缺点:所需的溴气为剧毒污染气体,在生物安全性或者环保方面极为不利,还有其无法对钙钛矿材料的组分及性能进行原位连续可控调节。申请号为201811397013.1的中国专利公开了一种类卤素钙钛矿量子点材料的制备方法,但存在以下缺点:其同样也无法对钙钛矿材料的组分及性能进行原位连续可控调节。
总的来说,目前关于调节钙钛矿材料组分的研究,主要是利用旋涂法制备特定卤素比的单一组分钙钛矿薄膜。但是该方法存在化学计量误差等缺点,更重要的是,通过该方法形成的膜,无法连续稳定的原位调节其组分和性能,所制备的钙钛矿材料不能满足实际需求。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明的目的是提供一种可控程度高的原位连续调节钙钛矿材料,本发明的另一目的是提供一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法。
技术方案:本发明所述的一种原位连续调节钙钛矿材料,分子式为APbE3-xFx,A为MA或Cs,E、F选自Cl、Br、I中不同的两种,x=aln(t+t0)+c,其中,0≤x≤3,t为反应时间,a、c、t0为修正参数,根据组分与时间变化关系式对元素含量实验值进行拟合确定参数值。
上述原位连续调节钙钛矿材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,利用旋涂法、蒸镀法、重结晶法、CVD生长方法制备不同形貌的钙钛矿前驱体MAPbCl3、MAPbBr3、MAPbI3、CsPbCl3、CsPbBr3或CsPbI3;
步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在CVD管式炉的石英管中间,并将步骤一制备得到的前驱体钙钛矿放置在石英管的炉塞口处;
步骤三,以1~300sccm的流速向石英管通入保护气体,进行排气处理1~60min,反应过程中气压维持在0~1000000Pa;
步骤四,将石英管加热到60~400℃,冷却至室温。
进一步地,步骤一中,不同形貌的钙钛矿前驱体为纳米颗粒、纳米晶、纳米棒、微米棒、纳米线、微米线、纳米块、微米块、纳米球、微米球及薄膜。
进一步地,步骤二中,溴源为甲基溴化胺(MABr)或溴化铯(CsBr)。氯源为甲基氯化铵(MACl)或氯化铯(CsCl)。碘源为甲基碘化铵(MAI)或碘化铯(CsI)。
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