[发明专利]具有小面积和高效纵横比的SRAM布局

说明书

实施例公开了具有小面积和高效纵横比的SRAM布局。一种存储器单元，包括一组有源区，该有源区与一组栅极区交叠以形成成对的交叉耦合反相器。第一有源区沿第一轴线延伸。第一栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第一晶体管。第二栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第二晶体管。第二有源区沿第二轴线延伸并与第一栅极区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第三晶体管。第四有源区沿第三轴线延伸并与栅极区交叠，以形成读取端口的晶体管。

技术领域

本公开涉及计算机存储器领域，并且更具体地涉及静态随机存取存储器(SRAM)单元体系结构。

背景技术

传统的静态随机存取存储器(SRAM)由于其性能、易于接口、简单、相对低的待机功耗和鲁棒性的特点，而在许多计算环境中实现。然而，一个明显的缺点是传统SRAM布局拓扑占用的面积。这种传统SRAM布局的尺寸对于应用(该应用中空间是个问题)，可能是一个很大的抑制因素。

发明内容

简要地说，本公开包括涉及具有减小的面积和改进的性能特性的存储器单元架构和存储器单元阵列的实施例。根据本公开的存储器单元包括多个栅极区，该多个栅极区以横向于存储器单元的第一轴线延伸的间距进行布置。第一有源区沿着第一轴线延伸并与第一栅极区在第一间距中交叠，第二栅极区沿着第二间距延伸以形成存储器单元的成对的交叉耦合反相器的第一晶体管和第二晶体管。第二有源区沿着平行于第一轴线的第二轴线延伸，并且与第一有源区间隔开。第二有源区覆盖第一栅极区以形成交叉耦合反相器对的第三晶体管。

存储器单元可以包括第三有源区，该第三有源区沿着平行于第一轴线的第三轴线延伸，并且在第一有源区的与第二有源区相对的一侧与第一有源区间隔开。第三有源区覆盖第二栅极区以形成该对交叉耦合反相器的第四晶体管。因此，使用三个有源区而不是四个有源区(见图1)形成交叉耦合反相器对，从而减少存储器单元占用的面积。

在一些实施例中，第二有源区可以与第二栅极区交叠以形成交叉耦合反相器对的第四晶体管。在这样的实施例中，因此使用两个有源区而不是四个有源区形成(见图1)交叉耦合反相器，从而减小存储器单元占用的面积。

第一有源区可延伸穿过存储器单元的上边缘和下边缘并延伸到相邻存储器单元中。连续延伸的第一有源区可减少由浅沟槽隔离特性引起的性能影响。

存储器单元阵列可根据本文讨论的存储器单元体系结构而被形成，其中有源区-第一有源区-延伸穿过沿第一轴线布置的存储器单元。沿着第一轴线的相邻存储器单元可以是相对于相邻存储器单元之间的边缘彼此的镜像。

附图说明

图1是存储器单元阵列的存储器单元的布局图；

图2是根据一个或多个实施例的静态随机存取存储器(SRAM)单元的示图；

图3是根据一个或多个实施例的第一SRAM单元的第一布局图；

图4是图3的第一SRAM单元的第二布局图；

图5是图3的第一SRAM单元的示意电路图；

图6是根据一个或多个实施例的第二SRAM单元的第一布局；

图7是图6的第二SRAM单元的第二布局；

图8是第二SRAM单元的示意图；

图9是根据一个或多个实施例的第三SRAM单元的布局图；以及

图10是根据一个或多个实施例的第四SRAM单元的布局图。

具体实施方式