[发明专利]太阳能电池组件及其封装方法有效
申请号: | 202011501925.6 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112670360B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 刘继宇;李华 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 李成斌 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 及其 封装 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:
太阳能电池;
第一封装层和第二封装层,所述第一封装层和所述第二封装层分别设置于所述太阳能电池的两侧;
第一密封件,所述第一密封件环绕于所述太阳能电池的四周,所述第一密封件分别与所述第一封装层和所述第二封装层粘接,其中所述第一密封件由钒酸盐玻璃料制备形成,且所述钒酸盐玻璃料的熔点为200℃-300℃,所述钒酸盐玻璃料包括氧化钒、氧化磷、氧化锑、氧化钡和氧化硅,其中氧化钒的重量百分比为50-70%,所述氧化磷的重量百分比为10-30%,所述氧化锑的重量百分比为5-15%,所述氧化钡的重量百分比大于0且小于等于5%,所述氧化硅的重量百分比大于0且小于等于5%;
或者,所述钒酸盐玻璃料包括氧化钒、氧化碲、氧化磷和氧化硼,其中所述氧化钒的重量百分比为40-60%,所述氧化碲的重量百分比为20-40%,所述氧化磷的重量百分比为5-15%,所述氧化硼的重量百分比大于0且小于等于5%;
或者,所述钒酸盐玻璃料包括氧化钒、氧化碲和氧化银,其中所述氧化钒的重量百分比为40-60%,所述氧化碲的重量百分比为20-40%,所述氧化银的重量百分比为5-20%。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述钒酸盐玻璃料还包括第一添加剂,所述第一添加剂用于降低所述钒酸盐玻璃料的热膨胀系数,所述第一添加剂在所述钒酸盐玻璃料中的重量百分比大于0且小于10%。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一添加剂包括氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮化钛中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,还包括与所述第一封装层粘接的第一胶膜层,所述第一胶膜层位于所述第一封装层靠近所述太阳能电池的一侧,所述第一胶膜层与所述第一密封件粘接;
或者,还包括与所述第二封装层粘接的第二胶膜层,所述第二胶膜层位于所述第二封装层靠近所述太阳能电池的一侧,所述第二胶膜层与所述第一密封件粘接;
或者,还包括第一胶膜层和第二胶膜层,所述第一胶膜层粘接于所述第一封装层靠近所述太阳能电池的一侧,所述第二胶膜层粘接于所述第二封装层靠近所述太阳能电池的一侧,所述第一胶膜层和/或所述第二胶膜层与所述第一密封件粘接。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,还包括:
第二密封件,所述第二密封件环绕于所述太阳能电池的四周,所述第二密封件分别与所述第一封装层和所述第二封装层连接,所述第二密封件位于所述太阳能电池和所述第一密封件之间,所述第二密封件与所述第一密封件之间间隔设置以形成有密封空间。
6.一种如权利要求1-5任意一项所述的太阳能电池组件的封装方法,其特征在于,包括:
提供第一封装层;
在所述第一封装层上设置玻璃浆料部和太阳能电池,所述玻璃浆料部环绕于所述太阳能电池的四周,所述玻璃浆料部包括钒酸盐玻璃料和有机溶剂的混合物;
在所述太阳能电池远离所述第一封装层的一侧设置第二封装层;
对所述玻璃浆料部进行烧结处理,以形成第一密封件,所述第一密封件分别与所述第一封装层和所述第二封装层粘接;
进行层压处理,以形成太阳能电池组件。
7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,在所述玻璃浆料部进行烧结处理之前,还包括:
对所述玻璃浆料部进行预烧结处理,以使所述玻璃浆料部处于熔融状,其中所述预烧结处理的加热温度低于所述烧结处理中的加热温度。
8.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述对所述玻璃浆料部进行预烧结处理位于在所述第一封装层上设置玻璃浆料部之后且在所述第一封装层上设置太阳能电池之前。
9.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,通过脉冲激光加热对所述玻璃浆料部进行烧结处理,在所述激光加热中,激光的波长为300-1100nm,激光脉冲次数为1~20次/秒,且激光的光斑为椭圆形光斑或线光斑。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的