[发明专利]薄膜晶体管基板和显示设备

说明书

本公开涉及一种薄膜晶体管基板和一种包括薄膜晶体管基板的显示设备，所述显示设备包括位于基板上的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体层，具有第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一下栅电极，位于所述基板与所述第一半导体层之间；第一上栅电极，位于所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及第一电极层，位于所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者。所述第一下栅电极与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0178502号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及薄膜晶体管基板和包括薄膜晶体管基板的显示设备，并且涉及具有改善的分辨率的薄膜晶体管基板和包括薄膜晶体管基板的显示设备。

背景技术

通常，显示设备可以包括显示元件和可以控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和布线。

为了精确地控制显示元件的光发射和光发射的量，已经增加了电连接到显示元件的TFT的数量。因此，已经积极地进行了研究以解决显示设备的高集成度和功耗的问题。

应当理解，该技术背景部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。但是，该技术背景部分还可以包括在本文公开的主题的相应的有效提交日之前作为熟悉相关领域的技术人员并不知晓或了解的部分的想法、构思或认识。

发明内容

一个或多个实施例可以包括具有改善的分辨率的薄膜晶体管基板和包括薄膜晶体管基板的显示设备。然而，这仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。

附加方面将部分地在下面的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以通过所给出的实施例的实施而获知。

根据一个或多个实施例，一种薄膜晶体管基板可以包括设置在基板上的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管可以包括：第一半导体层，包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一下栅电极，设置在所述基板与所述第一半导体层之间；第一上栅电极，设置在所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及第一电极层，设置在所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者，其中，所述第一下栅电极可以与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠。

在实施例中，所述第一下栅电极可以与所述第一半导体层交叠，并且可以不与所述第一源极区交叠。

在实施例中，所述第一上栅电极可以包括与所述第一源极区相邻的一端，所述第一下栅电极可以包括与所述第一源极区相邻的一端，并且在平面图中，所述第一上栅电极的所述一端和所述下栅电极的所述一端可以彼此重合。

在实施例中，在平面图中，所述第一下栅电极和设置在所述基板上的导电层之间的距离可以与所述第一上栅电极和所述导电层之间的距离相同。

在实施例中，所述导电层可以是扫描线。

在实施例中，所述第一半导体层可以包括硅半导体材料或氧化物半导体材料。

在实施例中，所述薄膜晶体管基板还可以包括设置在所述基板上的第二薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管可以包括：第二半导体层；第二栅电极，与所述第二半导体层部分地交叠；以及第二电极层，设置在所述第二栅电极上并电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层可以包括氧化物半导体材料，并且所述第二半导体层可以包括硅半导体材料。