[发明专利]具有位错误率的动态程序擦除目标设定

说明书

本申请案涉及具有位错误率的动态程序擦除目标设定。一种系统包含具有存储器单元的存储器阵列及耦合到其的处理装置。所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包含：确定对应于所述存储器阵列的编程分布的一组差异错误计数；基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述编程分布的谷值裕度；基于所述谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；基于所述编程目标设定规则，执行编程目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；确定所述存储器阵列的位错误率BER；响应于所述BER满足BER控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及响应于所述BER不满足所述BER控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及具有位错误率的动态程序擦除目标设定。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据和从存储器装置检索数据。

发明内容

在一个方面，本申请案提供一种系统，其包括：存储器阵列，其包含多个存储器单元；以及处理装置，其耦合到所述存储器阵列且对所述存储器阵列执行编程目标设定操作，其中为了执行所述编程目标设定操作，所述处理装置：确定对应于所述存储器阵列的多个编程分布的一组差异错误计数；基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；基于所述多个谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；基于所述编程目标设定规则，执行程序擦除目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；确定所述存储器阵列的位错误率BER；响应于所述BER满足BER控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及响应于所述BER不满足所述BER控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。

在另一方面，本申请案进一步提供一种方法，其包括：通过处理装置将存储器阵列的擦除分布的电压电平预设为高于默认值，所述存储器阵列包括第一逻辑页类型和第二逻辑页类型的多个存储器单元；以及通过所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包括：确定对应于所述第一逻辑页类型的多个编程分布的一组差异错误计数；基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；多次调整所述多个谷值裕度中的至少一些的值，以均衡所述第一逻辑页类型的相对谷值裕度，使得所述第一逻辑页类型的谷值的读取窗口预算RWB为大致相同的RWB；确定所述存储器阵列的位错误率BER；以及响应于所述BER不满足BER控制值，将所述电压电平增大某一电压阶跃。

在又一方面，本申请案提供进一步提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包括：确定对应于存储器阵列的多个编程分布的一组差异错误计数，所述存储器阵列包括多个存储器单元；基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；基于所述多个谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；基于所述编程目标设定规则，执行程序擦除目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；确定所述存储器阵列的位错误率BER；响应于所述BER满足BER控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及响应于所述BER不满足所述BER控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。

图1A说明根据一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图1B是具有根据各种实施例配置的动态编程校准机构的存储器子系统的框图。

图2是说明根据一实施例的程序验证电压电平目标的擦除分布以及第一和第二遍编程的一组曲线图。

图3A-3B是说明根据一些实施例的两个邻近编程分布之间的两个读取层级阈值的差异错误计数的一组曲线图。