[发明专利]切割半导体衬底的方法及对应的半导体产品

权利要求书

1.一种在具有长度的切割线处切割半导体衬底的方法，所述方法包括：

在所述切割线处向所述半导体衬底选择性地施加激光束烧蚀能量，以在所述切割线处产生至少一个烧蚀区域，并且留下至少一个未烧蚀区域，所述至少一个未烧蚀区域沿所述切割线的所述长度与所述至少一个烧蚀区域相邻；以及

沿所述切割线的所述长度刀片锯切所述半导体衬底，以产生穿过所述至少一个烧蚀区域并且穿过所述至少一个未烧蚀区域两者的所述半导体衬底的切口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括在所述切割线处的至少一个易碎裂区域，并且其中选择性地施加包括向所述至少一个易碎裂区域施加激光束烧蚀能量以产生所述至少一个烧蚀区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中由于所述刀片锯切而产生的穿过所述至少一个烧蚀区域的所述切口呈现出基本上不存在碎裂，所述至少一个烧蚀区域与所述易碎裂区域相对应。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述半导体衬底包括用于在所述切割线处的至少一个测试元件组的电路装置；以及

选择性地施加包括在所述切割线处向所述至少一个测试元件组施加激光束烧蚀能量以产生所述至少一个烧蚀区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其中刀片锯切包括在所述切割线处切割穿过与所述测试元件组相对应的所述至少一个烧蚀区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述半导体衬底包括用于在所述切割线处的多个测试元件组的电路装置；以及

选择性地施加包括向所述多个测试元件组中的第一测试元件组施加激光束烧蚀能量，并且不向所述多个测试元件组中的第二测试元件组施加激光束烧蚀能量。

7.根据权利要求6所述的方法，其中刀片锯切包括在所述切割线处切割穿过对应于所述第一测试元件组的所述至少一个烧蚀区域和所述第二测试元件组两者。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括根据以下多项中的一项而从所述多个测试元件组中选择出所述第二测试元件组：测试元件组形状或测试元件组长度。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：根据所述第二测试元件组具有的长度小于沿所述切割线的关键长度，从所述多个测试元件组中选择出所述第二测试元件组。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沿所述切割线的所述关键长度约等于250微米。

11.根据权利要求1所述的方法，其中向所述半导体衬底选择性地施加激光束烧蚀能量包括：在被布置在所述切割线处的所述半导体衬底的至少一个区域上以曲线路径扫描激光束。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述曲线路径是螺旋路径。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述曲线路径是闭环路径。

14.一种半导体产品，包括：

半导体衬底，具有在具有长度的切割线处被切割的至少一个边缘；

其中所述至少一个边缘包括沿所述长度的至少一个激光束烧蚀区域和至少一个未烧蚀区域；并且

其中所述至少一个边缘在所述切割线的所述长度上被刀片切割穿过所述至少一个烧蚀区域并穿过所述至少一个未烧蚀区域两者。

15.根据权利要求14所述的半导体产品，包括在所述至少一个边缘处的切割测试元件组的至少一个剩余物。

16.根据权利要求15所述的半导体产品，其中所述激光束烧蚀区域位于所述测试元件组的所述至少一个切割剩余物处。