[发明专利]显示装置和电子设备在审
| 申请号： | 202011503421.8 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112614882A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 辻川真平 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 电子设备 | ||
1.一种显示装置，包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括
设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，
设置为横断所述活性区域的开口，
设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，
填充所述开口的栅电极，和
设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和
配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，将多个所述开口设置为串联排列。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，将具有高于所述活性区域的浓度的第一导电型沟道截断区域设置在每个所述开口之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置为横断所述活性区域。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置在所述半导体基板的内部。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置到比具有绝缘性的元件隔离层深的区域，所述元件隔离层设置在所述活性区域的周围。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述开口具有300nm或更深的深度。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，将所述开口设置到比具有绝缘性的元件隔离层浅的区域，所述元件隔离层设置在所述活性区域的周围。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体基板是硅基板。
10.一种电子设备，包括：
显示单元，所述显示单元包括
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括
设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，
设置为横断所述活性区域的开口，
设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，
填充所述开口的栅电极，和
设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和
配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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