[发明专利]具有波导的半导体装置及其方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成组件，包括：

将半导体管芯和发射器结构放置在载体衬底上，所述发射器结构包括天线发射器；

包封所述半导体管芯和所述发射器结构的至少一部分；

在所述半导体管芯的第一主表面和所述发射器结构的第一主表面上施加再分布层，所述半导体管芯的接合垫通过所述再分布层连接到所述天线发射器；

将所述组件附接到衬底；以及

将波导结构附接到所述衬底，所述波导结构与所述组件重叠并且与所述组件在物理上分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发射器结构形成为具有空腔，所述天线发射器位于所述空腔的底部表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，另外包括形成基本上包围所述天线发射器的导电环结构，所述导电环结构的外侧壁与所述空腔的侧壁间隔开以在所述导电环结构与所述空腔的侧壁之间形成通道。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：

对所述组件进行背面研磨，以暴露基本上包围所述天线发射器的导电路径；以及

将导电环结构附接到暴露的导电路径上。

5.一种半导体装置，其特征在于，包括：

印刷电路板(PCB)，所述PCB具有顶侧表面；

在所述顶侧表面处将封装组件附接到所述PCB，所述封装组件包括：

封装衬底，所述封装衬底具有第一主表面和第二主表面；

半导体管芯，所述半导体管芯具有有源表面和背侧表面，所述半导体管芯在所述第一主表面处附接到所述封装衬底；

发射器结构，所述发射器结构在所述第一主表面处附接到所述封装衬底，所述发射器结构包括通过所述封装衬底耦合到所述半导体管芯的天线发射器；以及

环氧材料，所述环氧材料包封所述半导体管芯和所述发射器结构的至少一部分；以及

波导结构，所述波导结构在所述顶侧表面处附接到所述PCB，所述波导结构与所述封装组件重叠并且与所述封装组件在物理上分离。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述发射器结构形成为具有空腔，所述天线发射器位于所述空腔的底部表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述发射器结构另外包括基本上包围所述天线发射器的导电环结构，所述导电环结构的外侧壁与所述空腔的侧壁间隔开，以在所述导电环结构与所述空腔的侧壁之间形成通道。

8.一种半导体装置，其特征在于，包括：

印刷电路板(PCB)，所述PCB具有顶侧表面；

封装半导体装置，所述封装半导体装置在所述顶侧表面处附接到所述PCB，所述封装半导体装置包括：

封装衬底，所述封装衬底具有第一主表面和第二主表面；

半导体管芯，所述半导体管芯具有有源表面和背侧表面，所述半导体管芯在所述第一主表面处附接到所述封装衬底；

发射器结构，所述发射器结构在所述第一主表面处附接到所述封装衬底，所述发射器结构包括通过所述封装衬底的导电馈源耦合到所述半导体管芯的天线发射器；以及

环氧材料，所述环氧材料包封所述半导体管芯和所述发射器结构的至少一部分；以及

波导结构，所述波导结构在所述顶侧表面处附接到所述PCB，所述波导结构与所述封装半导体装置重叠，所述波导结构的波导开口具有基本上包围所述天线发射器的侧壁，所述波导结构与所述封装半导体装置在物理上分离。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述发射器结构形成为具有空腔，所述天线发射器位于所述空腔的底部表面。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述发射器结构另外包括导电环结构，所述导电环结构基本上包围所述天线发射器并且与所述空腔的侧壁间隔开，以在所述导电环结构与所述空腔的侧壁之间形成通道，所述波导开口的侧壁部分延伸到形成于所述导电环结构与所述空腔的所述侧壁之间的所述通道中。