[发明专利]薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、进行薄膜沉积工艺，所述薄膜沉积过程中，工艺气体通过喷淋头均匀分配后进入到薄膜生长区域中，薄膜会同时沉积在工艺腔内侧表面以及所述喷淋头的下表面，所述喷淋头的下表面为暴露于所述薄膜生长区域中的表面，所述喷淋头的下表面的材料包括Al；

步骤二、所述薄膜沉积完成后进行清洁工艺，包括：提供F^-离子到所述薄膜生长区域中对所述工艺腔的内侧表面和所述喷淋头的下表面上沉积的所述薄膜进行清洗去除；所述清洁工艺过程中，F^-离子会吸附在所述喷淋头的所述下表面上并形成氟化铝；

步骤三、对所述氟化铝进行氧化形成粘附性比氟化铝更强的氟氧化铝；在后续所述薄膜沉积工艺中，所述氟氧化铝能防止产生由所述氟化铝的剥离所产生的颗粒污染；在后续的所述清洁工艺中，所述氟氧化铝能防止F^-离子对铝的侵蚀。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述薄膜为介质层，所述薄膜沉积工艺腔为CVD工艺腔。

3.如权利要求2所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述介质层包括二氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求2或3所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述CVD工艺腔包括PECVD工艺腔。

5.如权利要求4所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述PECVD工艺腔外部设置有远端等离子体源装置。

6.如权利要求5所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：步骤二中，F^-离子由所述远端等离子源装置提供。

7.如权利要求6所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：F^-离子由所述远端等离子源装置采用远端等离子体对含氟前体进行解离形成。

8.如权利要求7所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述含氟前体包括三氟化氮。

9.如权利要求7所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述远端等离子源装置和远端射频信号相连，在所述远端射频信号的作用下形成所述远端等离子体。

10.如权利要求4所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述喷淋头包括多个均匀分布的气孔，所述工艺气体从所述喷淋头的上表面穿过各所述气孔到达所述喷淋头的下表面下的所述薄膜生长区域中。

11.如权利要求10所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：步骤二中，所述工艺腔的内侧表面和所述喷淋头的下表面上沉积的所述薄膜和F^-离子反应形成气态的SiF₄和副产物并通过真空泵抽走。

12.如权利要求1所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：步骤三中，采用N₂O等离子体对所述氟化铝进行氧化。

13.如权利要求4所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述PECVD工艺腔外部设置有本地等离子体源装置。

14.如权利要求13所述的薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法，其特征在于：所述本地等离子源装置位于所述喷淋头的上表面上方，所述工艺腔体经过所述本地等离子源装置形成的本地等离子源激活后在通过所述喷淋头均匀分配后进入到所述薄膜生长区域中。