[发明专利]一种控制CCOS修形边缘误差效应的方法

权利要求书

1.一种控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、测量目标工件的面形；

S2、确定目标工件表面的材料去除量，根据工件的面形情况选择加工方式和与加工方式对应的去除函数R(x,y)，然后进行CCOS修形；若工件面形为翘边，则选择自转抛光方式和预先确定的自转抛光去除函数R₁(x,y)，否则选择双转子抛光方式和预先确定的双转子抛光去除函数R₂(x,y)；

S3、测量所述目标工件的面形，若不满足要求，跳转步骤S2以进行迭代加工，否则结束加工；

在步骤S2前，还包括确定所述与加工方式对应的去除函数R(x,y)的步骤，该步骤是通过调整工艺参数，使双转子抛光去除效率为自转抛光去除效率的整数倍，来确定自转抛光去除函数R₁(x,y)与双转子抛光去除函数R₂(x,y)。

2.如权利要求1所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，步骤S2中，在采用自转抛光方式或双转子抛光方式进行CCOS修形时，采用的工艺参数与确定对应抛光方式的去除函数的工艺参数相同。

3.如权利要求1所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，步骤S2中，在选择加工方式和与加工方式对应的去除函数R(x,y)后，以及在对所述目标工件进行CCOS修形前，还包括修正所述去除函数R(x,y)，然后确定加工路径并确定加工路径上各数据点的加工驻留时间D(x,y)的步骤。

4.如权利要求1所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，所述自转抛光去除函数R₁(x,y)和双转子抛光去除函数R₂(x,y)的确定方法包括如下步骤：

选择加工参数，在一块与目标工件相同材质的实验工件上进行双转子定点抛光，通过前后两次相对应位置进行点对点相减，得到相应的去除形状，获得双转子抛光去除函数R₂(x,y)和双转子抛光去除效率；然后通过调整工艺参数，进行自转定点抛光，选出自转抛光去除函数R₁(x,y)，以使所述双转子抛光去除效率为与该自转抛光去除函数R₁(x,y)对应的自转抛光去除效率的整数倍，从而获得所需的双转子抛光去除函数R₂(x,y)和自转抛光去除函数R₁(x,y)。

5.如权利要求4所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，在确定所述自转抛光去除函数R₁(x,y)和双转子抛光去除函数R₂(x,y)的过程中，还包括进行验证所述自转抛光去除函数R₁(x,y)和双转子抛光去除函数R₂(x,y)稳定性的定点抛光实验；

验证所述自转抛光去除函数R₁(x,y)稳定性的自转定点抛光实验采用的工艺参数与获取该抛光去除函数采用的工艺参数相同；

验证所述双转子抛光去除函数R₂(x,y)稳定性的双转子定点抛光实验采用的工艺参数与获取该抛光去除函数采用的工艺参数相同。

6.如权利要求3所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，修正所述去除函数包括：确定抛光盘边缘到工件边缘的距离E，根据E确定目标工件表面的实际压力分布函数P(x,y,t)，并采用P(x,y,t)对所述去除函数R(x,y)中的压力进行校正，来确定精确的去除函数。

7.如权利要求6所述的控制CCOS修形边缘误差效应的方法，其特征在于，所述抛光盘边缘到目标工件边缘E的距离的取值为E≤1/3d，其中d为目标工件的直径。