[发明专利]干燥空气供给装置及方法

说明书

本发明的干燥空气供给装置包括：冷却除湿单元，用于对流入的空气进行冷却并除湿；干燥剂(desiccant)除湿单元，具有用于收容干燥剂的转子，通过使从上述冷却除湿单元供给的空气经过上述转子来进行除湿；温度调节单元，用于对经过上述干燥剂除湿单元的空气进行冷却或加热；以及供给流路，其为了向上述缓冲空间供给经过上述温度调节单元的空气而延伸。

技术领域

本发明涉及一种用于对半导体制造设备的设备前端模块(EFEM，Equipment FrontEnd Module)等处理晶圆(wafer)的缓冲空间内部的湿度进行调节的干燥空气供给装置及方法。

背景技术

通常，半导体工艺的集群(Cluster)设备在进行处理的过程中会使用各种化学气体，在此情况下，在腔室(Chamber)内部完成处理后，气态气体等会残留在晶圆(wafer)上。

因此，当卸下(Unloading)时，以及当残留在前开式晶圆传送盒(FOUP，FrontOpening Unified Pod：半导体工艺用保管容器)的气体、烟气(fume)等与水分进行反应时，晶圆上可能会产生颗粒(particle)或缺陷(defect)。

近年来，随着半导体制造工艺的设计规则(Design Rule)变得越来越小以及集成度的增加，对晶圆上的颗粒以及环境污染管理的要求水平正在提高。

为了在制造工艺中抑制设备内部的颗粒及污染，以往以如下方式应对，即，通过风扇过滤器单元(Fan Filter Unit)的超低渗透空气(Ultra Low Particulate Air)过滤器以约0.3～0.5m/秒的流速向设备前端模块(EFEM)的内部供给FAB环境下的温度为23℃、湿度为40～45％的空气，并维持正压气流等。并且，特定工艺中的设备以如下方式应对，即，通过一同配备空气化学过滤器(Chemical Air Filter)来过滤有害物质，例如氨、氢氟酸、臭氧气体等。

但是，在此情况下，由于湿度高，因此在完成工艺之后容易与晶圆上的残留气体反应而生成颗粒。以往的设备前端模块的内部环境条件为不进行湿度调节，而是通过风扇过滤器单元供给FAB的内部空气，因此空气中存在的湿度容易与晶圆上的残留气体反应而容易生成颗粒或缺陷。

并且，由于在特定工艺中通常需要一个小时左右的处理时间，因此，晶圆在前开式晶圆传送盒内等待很长时间，导致晶圆上的残留气体与设备前端模块(EFEM)内部的未除湿空气反应而发生产率降低的问题，例如生成颗粒等。

另一方面，在某些情况下，当晶圆在前开式晶圆传送盒的内部完成处理后等待时，为了使湿度最小化，在内部建立并使用用于供给氮气(N₂)的系统。

但是，在建立用于供给氮气(N₂)的系统的情况下，需要在完全封闭的空间内投入大量氮气，因此存在消耗昂贵成本的缺点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：KR10-2018-0136863(2018年12月26日公开)

发明内容

发明待解决的问题

本发明的一目的在于，提供一种如下的空气供给方法及装置，即，可以降低与半导体制造装置相结合的设备前端模块(EFEM)等缓冲空间的内部湿度，并改善在完成处理后可能在晶圆上生成颗粒的环境条件，以解决现有技术问题。

本发明的再一目的在于，提供一种如下的空气供给方法及装置，即，通过去除缓冲空间内部的湿度并防止晶圆上生成颗粒，从而具有提高产率的效果，而且不易与排出的烟气(fume)等进行反应，从而可以防止设备内部的腐蚀并延长设备PM周期。