[发明专利]一种多频段磁性吸波薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202011506720.7 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112672626A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 李维佳;张宏亮;左超;王慧;陈慧;阙智勇;陈良 | 申请(专利权)人: | 成都佳驰电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B05C9/12;B05D7/24 |
代理公司: | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人: | 邢伟 |
地址: | 610000 四川省成都市郫都区成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频段 磁性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种多频段磁性吸波薄膜及其制备方法,属于磁性材料技术领域,包括基膜和基膜表面的磁性吸收剂浆料;磁性吸收剂浆料包含磁性吸收剂、液态高分子聚合物、助剂;磁性吸收剂包含片状铁基金属粉末、片状铁基合金粉末、片状铁硅铝合金粉末、片状铁硅合金粉末、片状铁硅铬合金粉末、片状钴基合金粉末、片状铁镍合金粉末中的一种或多种;液态高分子聚合物包含聚氨酯树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、乙烯‑醋酸乙烯共聚物中的一种或多种;助剂包含分散剂、流平剂、润湿剂、增稠剂、消泡剂中的一种或多种。通过磁性吸波薄膜的周期性调制,使磁性吸波薄膜具有多频段吸收效果,在厚度不变的情况下实现宽频带电磁干扰抑制效果。
技术领域
本发明属于磁性材料技术领域,具体涉及一种多频段磁性吸波薄膜及其制备方法。
背景技术
近年来,随着电子技术的不断进步,电子设备逐步向小型化、薄型化方向发展。进一步的随着5G技术的应用,电子设备越来越向多频段、宽频带集成应用的方面发展。但这一发展趋势无疑大幅增加了电子设备的设计及制造难度,并且多频段的相互干扰及相互兼容问题,也成为了现在电子设备集成设计的关键难点。
以往的电子设备设计中,对于模块间及芯片间电磁兼容问题往往采用加入导电屏蔽罩的方式加以解决。这是以物理隔绝的方式,阻断模块间及芯片间的电磁场干扰,从而解决模块间及芯片间的电磁兼容问题。但是随着电子设备内部空间进一步的被缩减,以及电子设备内部模块及芯片的进一步增加,单一采用导电屏蔽罩的方式无法综合解决电子设备内部电磁兼容问题。所以在电子设备内部贴敷吸波薄膜来缓解设备内部的电磁干扰问题,是现在高集成电子设备设计的另一种通用手段。
但是现阶段,单一的均值吸波薄膜往往存在吸波频带窄,高低频无法兼顾的问题。解决该问题往往通过增加多层设计吸波薄膜或提高吸波薄膜厚度的方式来解决,但是该方式使设备内部空间利用率降低,不利于设备的高密度集成。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多频段磁性吸波薄膜及其制备方法,以解决目前增加多层设计吸波薄膜或提高吸波薄膜厚度的方式使得电子设备内部空间利用率降低的问题。
为实现本发明目的,采用的技术方案为:一种多频段磁性吸波薄膜,包括基膜和基膜表面涂布的磁性吸收剂浆料;磁性吸收剂浆料包含磁性吸收剂、液态高分子聚合物、助剂;所述磁性吸收剂包含片状铁基金属粉末、片状铁基合金粉末、片状铁硅铝合金粉末、片状铁硅合金粉末、片状铁硅铬合金粉末、片状钴基合金粉末、片状铁镍合金粉末中的一种或多种;所述液态高分子聚合物包含聚氨酯树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种;所述助剂包含分散剂、流平剂、润湿剂、增稠剂、消泡剂中的一种或多种。
作为进一步可选方案,所述磁性吸收剂浆料中,相对于100重量份的磁性吸收剂,液态高分子聚合物固含量为5~20重量份。
作为进一步可选方案,所述磁性吸收剂浆料中,相对于100重量份的磁性吸收剂:分散剂固含量为0.1~7重量份,和/或流平剂固含量为0.1~3重量份,和/或润湿剂固含量为0.1~5重量份,和/或增稠剂为0.1~20重量份,和/或消泡剂为0.1~8重量份。
本发明还提供一种上述多频段磁性吸波薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.磁性吸收剂浆料制备;
S2.磁性薄膜制备:将制备好的磁性吸收剂浆料,以涂布的方式在基膜表面进行薄膜制备,制得磁性薄膜;
S3.磁性薄膜周期调制:在磁性薄膜未干燥之前,将制得的磁性薄膜通过周期排布的条形磁场,对磁性薄膜进行周期性调制;磁性薄膜通过单一周期、多周期平行排布或交叉排布的条形磁场,条形磁场在磁性薄膜上形成单一周期、多周期平行排布或交叉排布的干涉条纹;
S4.磁性薄膜烘干:将经周期调制的磁性薄膜进行烘干;
S5.磁性薄膜成型:将烘干后的磁性薄膜依次进行热压和冷压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都佳驰电子科技有限公司,未经成都佳驰电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011506720.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。