[发明专利]一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法及器件在审
| 申请号： | 202011506761.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635555A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;武乐可;夏远洋;黄克强;朱友华;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 选择性 去除 方法 | ||
1.一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：
（1）、形成外延结构：在基层上生长缓冲层，在缓冲层上生长沟道层，在沟道层上生长势垒层，在势垒层上生长p-GaN层，
（2）、在p-GaN层上沉积钝化层，
步骤2：
对钝化层进行蚀刻，仅保留用于形成栅极的p-GaN区域上方的钝化区域，
步骤3：
对p-GaN层的进行热分解，直至除p-GaN区域以外的所有p-GaN层完全去除。
2. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：在步骤2后、步骤3前，先对除p-GaN区域以外的所有p-GaN层进行蚀刻，保留p-GaN层的厚度在5〜25nm之间。
3. 根据权利要求1或2所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：所述的p-GaN层生长的厚度为50-200nm。
4. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：在步骤3中：对p-GaN层热分解的温度大于600℃。
5. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：在步骤3中：在真空或氢气或氮气或氮氢混合气的氛围下对p-GaN层的进行热分解。
6. 根据权利要求1或5所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：在步骤3中：采用管式炉或RTP工具或MOCVD室对p-GaN层的进行热分解。
7. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：在步骤3中：通过轮廓仪或AFM扫描来测量p-GaN区域的高度，以确认已完全去除p-GaN层。
8. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：所述的缓冲层为GaN或AlGaN层，所述的沟道层为GaN层，所述的势垒层为AlGaN层。
9. 根据权利要求1所述的GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，其特征在于：所述的钝化层为SiO2或SiN。
10. 一种器件，其特征在于：其包括权利要求1至9中任意一项权利要求所述的GaNHEMT器件中选择性去除GaN的方法形成的结构。
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