[发明专利]毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜及表面金属化方法

权利要求书

1.一种毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜，其特征在于，该介质薄膜以柔性环烯烃共聚物薄膜(1)为基底，在柔性环烯烃共聚物薄膜(1)的下面设置作为支撑层的硅片(2)，在柔性环烯烃共聚物薄膜(1)的上面设置金属层(3)，所述柔性环烯烃共聚物薄膜(1)属于环烯烃共聚物，在毫米波太赫兹频段具有极低的介质损耗，在该介质薄膜表面形成稳定可靠的金属化太赫兹电路结构，实现基于环烯烃共聚物介质薄膜的毫米波太赫兹电路。

2.根据权利要求1所述的毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜，其特征在于，所述的柔性环烯烃共聚物薄膜(1)为一类由降冰片烯和乙烯两种单体组成的环烯烃共聚物，两者不同的比重参杂所形成的环烯烃共聚物种类不同，从而特性有所差异，但在毫米波太赫兹频段均具有较小的介质损耗。

3.根据权利要求1所述的毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜，其特征在于，所述金属层(3)和柔性环烯烃共聚物薄膜(1)之间的表面结合力相关，当结合力不足以支撑所需要的金属厚度及尺寸精度时，则需要沉积一层钛/铬/铂等金属作为粘结过渡层，用以增强金属与该介质薄膜的结合力。

4.根据权利要求1所述的毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜，其特征在于，所述的金属化太赫兹电路结构，由200ⅹ200的相同单元结构组成，该单元结构是一种环绕正方形贴片的金属线圈，且在金属正方形贴片内部挖出一个十字形谐振腔。

5.根据权利要求4所述的毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜，其特征在于，所述的单元电路尺寸为120微米，凹槽缝隙间隔为8微米，通过所述金属化方法实现一致的金属化效果。

6.一种如权利要求1所述的毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜的表面金属化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

S1.将100微米厚的柔性环烯烃共聚物薄膜(1)固定在作为支撑层的硅片(2)上；

S2.采用磁控溅射法在环烯烃共聚物薄膜(1)表面直接沉积一层200纳米厚的金属层(3)薄膜；

S3.用旋涂机在金属层(3)薄膜上旋涂正性光刻胶(4)；

S4.在软烘烤过程之后，将步骤S3中样品放入光刻机器中，然后将紫外线照射在一个镂空结构掩模板(5)上，用于雕刻所需的金属图案，该掩模板与下面的硅片对齐，紫外线辐射区域(6)的化学性质会逐渐发生变化，在下一步可以被显影剂洗去；

S5.样品在烘烤后浸入显影剂溶液中显影，紫外线辐射区域(6)的正性光刻胶溶解，而未被紫外线照射的光刻胶区域保持不变；

S6.然后将样品浸入蚀刻剂中，去除暴露在外部即未被光刻胶覆盖的金属层(3)薄膜，而在光刻胶下方的金属层(3)薄膜不会受到影响；

S7.将样品依次放入丙酮和异丙醇的超声波机中清洗，去除剩余的光刻胶；

S8.通过将带有金属电路结构的薄膜样品支撑层的硅片(2)上剥离，从而成功地实现了薄膜样品的第一面电路结构；

S9.若需要实现介质薄膜另一面的电路金属化，通过重复前面的步骤实现。