[发明专利]一种高声速高频高性能的窄带滤波器在审
| 申请号： | 202011508259.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112653421A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李红浪;许欣;柯亚兵 | 申请（专利权）人： | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁 |
| 地址： | 510700 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 声速 高频 性能 窄带滤波器 | ||
1.一种窄带滤波器，包括：
高声速材料衬底层；
单晶AlN高声速材料压电层；
设在所述单晶AlN高声速材料压电层上的电极；以及
在所述高声速材料衬底层和所述单晶AlN高声速材料压电层之间的LGS低声速材料层。
2.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述单晶AlN高声速材料压电层的高声速材料是有c轴取向的单晶AlN，厚度为0.5λ，其中λ为所述电极激发的声波波长。
3.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述LGS低声速材料层欧拉角为(0°,138.5°,26.6°)，所述LGS低声速材料层厚度为0.1λ，其中λ为所述电极激发的声波波长。
4.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述高声速材料衬底层的高声速材料为Si、SiN、Al2O3、3C-SiC、W、4H-SiC或6H-SiC，所述高声速材料衬底层厚度为5λ，其中λ为所述电极激发的声波波长。
5.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述电极为IDT电极，全部埋入所述单晶AlN高声速材料压电层，所述电极宽度和所述电极之间的间距相同，均为0.25λ，其中λ为所述电极激发的声波波长。
6.如权利要求5所述的窄带滤波器，其特征在于，所述IDT电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni或者其层叠体构成。
7.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述高声速材料衬底层和所述LGS低声速材料层共同形成布拉格反射层，所述布拉格反射层通过采用PECVD、CVD、MOCVD、MBE方式在所述高声速材料衬底层上镀一层LGS层来实现。
8.如权利要求7所述的窄带滤波器，其特征在于，进一步包括更多层由所述高声速材料衬底层和所述LGS低声速材料层构成的布拉格反射层。
9.如权利要求7所述的窄带滤波器，其特征在于，所述窄带滤波器的所述布拉格反射层的层数为1、2、3、4、5、6、7、8或9层，由所述高声速材料衬底层和所述LGS低声速材料层交替叠加形成。
10.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述电极为IDT电极，位于所述单晶AlN高声速材料压电层之上，所述电极宽度和所述电极之间的间距相同，均为0.25λ，其中λ为所述电极激发的声波波长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东广纳芯科技有限公司，未经广东广纳芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011508259.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
