[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法有效
申请号: | 202011508325.2 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112635300B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 蒋志伟;吴长明;冯大贵;王玉新;祝建;张宇 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 工艺 方法 | ||
1.一种晶圆背面减薄工艺方法,适用于功率器件的背面减薄工艺,其特征在于:在晶圆上的钝化层刻蚀过程中加入重聚合物,同步进行倒角步骤;所述的重聚合物包含C4F8;钝化层在刻蚀过程中会产生毛刺,利用重聚合物的特性在刻蚀过程中对毛刺进行轰击,改善毛刺尖锐程度和密集程度;所述毛刺是钝化层刻蚀时打开PAD区接触到金属,金属原子或者金属聚合物与氧化层结合,产生毛刺。
2.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述的金属为铝。
3.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述毛刺产生于晶圆上的划片道中。
4.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:在钝化层刻蚀及倒角步骤之后,还包括在晶圆正面使用临时粘接剂将晶圆固定在支撑性基板上,进行背面减薄工艺。
5.如权利要求4所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:背面减薄工艺完成之后,由于重聚合物的轰击导致钝化层刻蚀产生的毛刺被削弱,降低了临时粘接剂与晶圆的接触面积,使临时粘接剂与晶圆之间的粘附力降低,掲膜时残胶更容易去除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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