[发明专利]镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011508623.1 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112614944A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 尹力;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y40/00;B82Y10/00
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 叶栋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 氧化物 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括自下而上依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层,所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层。

2.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿层的A位离子选自FA、MA或Cs中的任一种或多种;B位离子选自Pb、Sn或Ge任中的任一种或多种;X位离子选自I、Br或Cl中的任一种或多种。

3.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层选自Spiro-MeOTAD、PEDOT:PSS、P3HT、PTAA、PThTPTI、金属氧化物或氧化石墨烯中的至少一种。

4.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述顶电极层为金属或有机材料。

5.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述顶电极层的厚度为80~120nm;和/或,所述空穴传输层的厚度为20-50nm;和/或,所述电子传输层的厚度为20-40nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、提供导电基底,对所述导电基底进行预处理;

S2、在所述导电基底上制备电子传输层,所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层;

S3、在所述电子传输层上依次制备钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层。

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,S2的具体步骤如下:

提供镝掺杂氧化锡前驱体溶液,将所述镝掺杂氧化锡前驱体溶液在所述导电基底上进行旋涂,旋涂时间30s,速度4000rpm,随后180摄氏度退火30分钟,得到所述电子传输层。

8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述镝掺杂氧化锡前驱体溶液采用以下方法制备:

取15%的纳米氧化锡分散液,用去离子水稀释为5%浓度的氧化锡分散液,并加入3mg碘化镝粉末,随后进行10分钟超声震荡。

9.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,S1的具体步骤如下:

对所述导电基底进行清洗,首先用去离子水超声10分钟,之后分别在丙酮和无水乙醇中超声10分钟以出去杂质及附着有机物,最后再超声10分钟后用洁净氮气吹干表面,并在120℃保温10分钟后,UV照射10分钟。

10.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,采用旋涂法制备所述钙钛矿层和空穴传输层。

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