[发明专利]半导体工艺设备在审
申请号: | 202011508882.4 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112687585A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 刘晶晶;李世凯 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
1.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括:工艺腔室、控制器及检测器;
所述工艺腔室内设置有承载组件,所述承载组件包括承载座及驱动结构,所述承载座可旋转的设置于所述驱动结构上,用于承载待加工件,所述承载座的外周设置有检测部;所述驱动结构用于驱动所述承载座旋转;
所述检测器设置于所述工艺腔室上,用于检测所述检测部;
所述控制器用于基于所述检测器在单位时间内检测到所述检测部的次数,确定所述承载座的实际转速。
2.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室包括工艺管和端盖,两个所述端盖分别设置于所述工艺管两端,用于封闭所述工艺管,并且至少一个所述端盖的外侧设置有所述检测器。
3.如权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,至少一个所述端盖上设置有用于传输待加工件的传输口,所述检测器设置于所述传输口长度方向的一侧。
4.如权利要求3所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述检测部凹设于所述承载座的外周,所述检测器朝向所述承载座的周缘内侧设置,所述检测器中心在所述端盖上的投影与所述承载座中心在所述端盖上的投影之间具有一预设间距,所述预设间距小于所述承载座的半径。
5.如权利要求4所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述承载座的半径与所述预设间距的差值小于等于5毫米。
6.如权利要求4所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述检测部包括形成于所述承载座外周的多个凹槽,多个所述凹槽沿所述承载座的周向均匀且间隔分布。
7.如权利要求3所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述检测器为激光测距器,所述传输口长度方向的一侧设置有透光部,所述激光测距器通过一支架设置于所述透光部外侧。
8.如权利要求7所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述支架包括连接段、中间段及承载段,所述连接段与所述端盖连接,并且位于所述透光部一侧;所述承载段远离所述透光部,与所述透光部相对设置,所述激光测距器设置在所述承载段上;所述中间段分别与所述连接段和所述承载段连接。
9.如权利要求7所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述透光部包括石英材质的透明板,所述端盖上对应地开设有安装孔,所述透明板密封地设置在所述安装孔中。
10.如权利要求1至9的任一所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述控制器还用于获取所述检测器检测到的所述实际转速,并且根据所述实际转速与目标转速的差异控制所述驱动结构调节所述承载座的旋转速度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造