[发明专利]倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装双层DBR的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）的正面生长有LED芯片外延结构，在外延结构表面上镀有ITO膜（2），通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层刻蚀出来，形成N-GaN台阶；在芯片结构上制作N、P金属导电支线（3）；在芯片结构的正面沉积有SiO₂绝缘层（4），在SiO₂绝缘层（4）表面镀有第一DBR反射层（5），通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线（3）暴露出来，在N、P金属导电支线（3）的对应位置制作N、P焊盘电极（6）；在芯片结构背面镀有第二DBR反射层（7）；芯片结构在未切割时，在芯片结构上通过刻蚀技术形成切割道，所述切割道位于芯片结构的正面或背面或双面，芯片沿切割道进行切割。

2.根据权利要求1所述的倒装双层DBR的LED芯片结构，其特征在于：利用PECVD技术在芯片结构的表面沉积SiO₂绝缘层（4），利用氧化物镀膜技术在SiO₂绝缘层（4）表面镀第一DBR反射层（5），然后利用正性光刻掩膜技术制作掩膜图形，通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线（3）暴露出来。

3.根据权利要求1所述的倒装双层DBR的LED芯片结构，其特征在于：利用负性光刻掩膜技术制作焊盘电极图形，并通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极（6）。

4.根据权利要求1所述的倒装双层DBR的LED芯片结构，其特征在于：利用氧化物镀膜技术在芯片结构背面镀第二DBR反射层（7）。

5.根据权利要求1所述的倒装双层DBR的LED芯片结构，其特征在于：利用正性光刻掩膜技术制作掩膜图形，将切割道暴露出来，通过ICP刻蚀技术将切割道处的DBR刻蚀掉形成切割道。

6.一种倒装双层DBR的LED芯片结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1，提供芯片衬底（1），在芯片衬底（1）的正面生长LED芯片外延结构；

步骤S2，在芯片外延结构表面上镀ITO膜（2）；

步骤S3：通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层刻蚀出来，形成N-GaN台阶；

步骤S4，在芯片结构上制作N、P金属导电支线（3）；

步骤S5，在芯片结构的正面沉积SiO₂绝缘层（4），在SiO₂绝缘层（4）表面镀第一DBR反射层（5），通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线（3）暴露出来；

步骤S6，通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极（6）；

步骤S7，在芯片结构背面镀第二DBR反射层（7）；

步骤S8，在芯片结构上通过刻蚀技术形成切割道，所述切割道位于芯片结构的正面或背面或双面；

步骤S9，利用砂轮刀将芯片衬底（1）上的器件沿切割道进行切割，并利用裂片技术将芯片分离。

7.根据权利要求6所述的倒装双层DBR的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S5进一步包括：利用PECVD技术在芯片结构的表面沉积SiO₂绝缘层（4），利用氧化物镀膜技术在SiO₂绝缘层（4）表面镀第一DBR反射层（5），然后利用正性光刻掩膜技术制作掩膜图形，通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线（3）暴露出来。

8.根据权利要求6所述的倒装双层DBR的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S7进一步包括：利用氧化物镀膜技术在芯片结构背面镀第二DBR反射层（7）。

9.根据权利要求7或8所述的倒装双层DBR的LED芯片结构制作方法，其特征在于：所述氧化物镀膜技术采用电子束蒸发技术。

10.根据权利要求6所述的倒装双层DBR的LED芯片结构制作方法，其特征在于：步骤S8进一步包括：利用正性光刻掩膜技术制作掩膜图形，将切割道暴露出来，通过ICP刻蚀技术将切割道处的DBR刻蚀掉形成切割道。