[发明专利]磁场响应光子晶体防伪薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种磁场响应光子晶体防伪薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将疏水性磁性纳米粒子分散于有机溶剂中作为油相，将乳化剂溶于水作为水相，将所述油相与水相混合后进行细乳化，得到水包油型细乳液；

（2）将所述的水包油型细乳液负压蒸发去除有机溶剂，获得磁性纳米晶簇，然后用水溶性大分子化合物对其进行修饰；

（3）将所述的修饰后的磁性纳米晶簇通过溶胶-凝胶法进行二氧化硅包覆，然后多次水洗和磁分离，获得磁性胶体纳米粒子；

（4）将所述的磁性胶体纳米粒子分散在水凝胶溶液中，在组成图案的磁铁下固化，形成图案可显-隐的光子晶体防伪薄膜；

在步骤（1）中，所述的乳化剂为十二烷基硫酸钠或C16-C22烷基三甲基季铵盐；

所述的疏水性磁性纳米粒子为油酸修饰的四氧化三铁、油胺修饰的四氧化三铁或月桂酸修饰的四氧化三铁；

所述的水溶性大分子为聚乙烯吡咯烷酮、N甲基吡咯烷酮或羟基纤维素；

在步骤（4）中，所用水凝胶为琼脂糖，质量浓度为1wt%-1.5wt%。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述的有机溶剂为低沸点有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述油相中，疏水性磁性纳米粒子的质量浓度为2.5%-12.5%，乳化剂的质量浓度为0.075%-0.2%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述的油相与水相的体积比为1: 10-16。

5.一种权利要求1~4任一项所述的方法制备得到的磁场响应光子晶体防伪薄膜。

6.权利要求5所述的磁场响应光子晶体防伪薄膜在防伪材料领域中的应用。