[发明专利]工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备

权利要求书

1.一种工艺腔室环境稳定性监控方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述方法包括：

基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，所述目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据基于所述目标工艺参数的多个历史参数值确定；

若满足所述工艺报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：历史参数值的均值、历史参数值的方差；

所述工艺报警条件包括：所述当前参数值与所述历史参数值的均值的差大于所述历史参数值的方差。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件之前，所述方法还包括：

读取所述目标工艺参数所属的工艺配方对应的文件夹中目标历史时间段内生成的每一个历史参数文件中所述目标工艺参数的历史参数值，以获取所述目标工艺参数的历史数据，其中，所述历史数据包括：在所述目标历史时间段内采集到的、在所述工艺腔室中进行的所述工艺配方对应的工艺涉及的每一个所述目标工艺参数的历史参数值，所述目标历史时间段包括在当前日期之前的多天；

对于所述工艺配方中的每一个工艺步骤，将该工艺步骤涉及的所述历史数据中的、所述目标工艺参数的历史参数值存储在该工艺步骤对应的数据结构中；

计算各所述数据结构中的所述目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；

若满足所述清洗报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗报警条件包括：在预设时长内，所述当前的副产物光谱信号与所述基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基础副产物光谱信号为最近一次或多次未生成所述报警信息的清洗操作对应的副产物光谱信号。

7.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括：

确定单元，被配置为基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，所述目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据基于所述目标工艺参数的多个历史参数值确定；

工艺报警单元，被配置为若满足所述工艺报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：历史参数值的均值、历史参数值的方差；

所述工艺报警条件包括：所述当前参数值与所述历史参数值的均值的差大于所述历史参数值的方差。

9.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括：

清洗报警单元，被配置为在对所述工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；若满足所述清洗报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述清洗报警条件包括：在预设时长内，所述当前的副产物光谱信号与所述基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。