[发明专利]扩散电阻的建模方法

权利要求书

1.一种扩散电阻的建模方法，其特征在于，扩散电阻包括：

第一导电类型掺杂的第一掺杂区，所述第一掺杂区形成于第二导电类型掺杂的半导体衬底中；

所述第一掺杂区的第一侧表面形成有第一接触区并通过所述第一接触区连接到第一电极；

所述第一掺杂区的第二侧表面形成有第二接触区并通过所述第二接触区连接到第二电极；

所述半导体衬底的表面形成有第三接触区并通过所述第三接触区连接到第三电极；

所述第一掺杂区和所述半导体衬底之间存在寄生体二极管，第三电极电压会形成体效应；

建模过程包括：

步骤一、进行体效应系数提取，包括如下分步骤：

步骤11、提供一个用于测试的所述扩散电阻；

步骤12、在所述第三电极上加第一电压并对所述扩散电阻的所述第一电极和所述第二电极之间的电阻进行测量得到第一测量电阻，在多个所述第一电压下测量得到多个所述第一测量电阻；

步骤13、形成由第二电压差和所述第一测量电阻组成的第一曲线，通过所述第一曲线提取出所述体效应系数；所述第二电压差取所述第三电极和所述第一电极之间的电压差的绝对值以及所述第三电极和所述第二电极之间的电压差的绝对值中较小的一个；

步骤二、进行体效应的几何效应参数的提取，包括如下分步骤：

步骤21、提供一系列不同尺寸的所述扩散电阻，各所述扩散电阻的长度和宽度不同但是厚度都相同；

步骤22、采用和步骤12相同的方法得到各所述扩散电阻在各所述第一电压下对应的所述第一测量电阻；

步骤23、取各所述扩散电阻在所述第二电压差为第一值和0V时所述第一测量电阻的差值并作为第一测量电阻差；

步骤24、形成所述第一测量电阻差和第三尺寸拟合成的第二曲线；所述第三尺寸为所述扩散电阻的长度和宽度的和除以长度和宽度的积；

步骤25、通过所述第二曲线提取出所述体效应的几何效应参数。

2.如权利要求1所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：所述体效应系数包括一阶体效应系数和二阶体效应系数。

3.如权利要求2所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：在各次电阻测量中，所述第一电极和所述第二电极之间的电压差保持不变，且所述第一电极的电压保持相等，所述第二电极的电压保持相等。

4.如权利要求3所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：步骤25中，所述体效应的几何效应参数包括一阶体效应系数的几何效应参数一和二阶体效应系数的几何效应参数二。

5.如权利要求3所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：步骤11中采用的所述扩散电阻选用步骤21中尺寸最大的所述扩散电阻。

6.如权利要求3所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：所述第一电极的电压或所述第二电极的电压会对所述扩散电阻形成电压效应；所述建模过程还包括：

步骤三、进行电压效应系数提取，包括如下分步骤：

步骤31、提供一个用于测试的所述扩散电阻；

步骤32、将所述第三电极接地；将所述第一电极和所述第二电极中的一个接地另一个接第二电压并对所述扩散电阻的电阻进行测量得到第二测量电阻，在多个所述第二电压下测量得到多个所述第二测量电阻；

步骤33、形成由所述第二电压和所述第二测量电阻组成的第三曲线，通过所述第三曲线提取出所述电压效应系数。

7.如权利要求6所述的扩散电阻的建模方法，其特征在于：所述电压效应系数包括一阶电压效应系数和二阶电压效应系数。