[发明专利]LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备

权利要求书

1.一种LDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在衬底或外延层(101)上形成浅沟槽隔离(102)，再形成栅介质层(103)，淀积形成多晶硅层，刻蚀同时定义多晶硅栅(104)；

S2，涂布光刻胶(501)并打开LDMOS区域的光刻胶，进行漂移区和RESURF注入，形成横向上离子浓度分布不均匀的高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，以及低能量漂移区(106)；

S3，对定义的多晶硅栅(104)进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区(107)；

S4，在多晶硅栅(104)两侧形成侧墙(108)，在体区(107)进行高掺杂注入形成第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110),在低能量漂移区(106)形成第一重掺杂区(109)，沉积金属硅化反应阻挡介质层(111)并进行选择性光刻刻蚀，使其覆盖漂移区表面；

S5，进行金属硅化反应，在多晶硅栅(104)、第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110)表面形成金属硅化物(112)；

S6,沉积绝缘介质刻蚀停止层(113)，沉积层间介质层(114)并进行平坦化；

S7,接触孔刻蚀并填充形成多个接触孔(115)，形成第一金属层(116)并刻蚀；通过第一金属层(116)将金属硅化反应阻挡层(111)上的多排接触孔(115)分成两部分，靠近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：衬底或外延层(101)为P型或N型。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：热氧化形成栅介质层(103)。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区注入能量范围为大于80KeV，RESURF注入能量范围为大于300KeV。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区靠近体区(107)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度低，靠近低能量漂移区(106)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度高。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：步骤S3中，保留光刻胶进行高能量离子注入形成体区(107)。

7.一种由权利要求1-5任意一项所述LDMOS器件制作方法制作的LDMOS器件，其特征在于，包括：

浅沟槽隔离(102)，其形成在衬底或外延层(101)中；

高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，其形成在浅沟槽隔离(102)之间的衬底或外延层(101)上部；

低能量漂移区(106)，其形成在浅沟槽隔离(102)和体区(107)之间的衬底或外延层(101)上部，且与浅沟槽隔离(102)相邻；

体区(107)，其形成在低能量漂移区(106)之间的衬底或外延层(101)上部；

第一重掺杂区(109)，其形成在低能量漂移区(106)上部，以及体区(107)上部；

第二重掺杂区(110)，其形成在体区(107)上部的第一重掺杂区(109)之间；

多晶硅栅(104)，其形成在高能量漂移区和RESUR层注入区(105)、低能量漂移区(106)和体区(107)上方，多晶硅栅(104)下方形成有栅绝缘介质层(103)；

金属硅化反应阻挡层(111)，其覆盖在低能量漂移区(106)上；

金属硅化物(112)，其分别形成在多晶硅栅(104)、第一重掺杂区(109)、第二重掺杂区(110)上；

绝缘介质叠层(113)，其覆盖在多晶硅栅(104)、金属硅化反应阻挡层(111)、金属硅化物(112)和浅沟槽隔离(102)上；

层间介质层(114)，其覆盖绝缘介质叠层(113)上；

第一金属层(116)，其将金属硅化反应阻挡层(111)上的多排接触孔(115)分成两部分，靠近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至多晶硅栅(104)，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至体区(107)的第一重掺杂区(109)。