[发明专利]一种柔性太阳能电池组件的制作方法有效
申请号: | 202011511065.4 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112510106B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 杨文奕;张小宾;刘建庆 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 何嘉杰 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 太阳能电池 组件 制作方法 | ||
本发明公开了一种柔性太阳能电池组件及制作方法,包括至少两个太阳能电池模组以及缓冲连接结构,太阳能电池模组包括依次叠放的表面电极、太阳能功能层以及导电衬底,缓冲连接结构包括第一导电层、绝缘层以及第二导电层,第一导电层的一端与其一太阳能电池模组的表面电极一体连接,第二导电层的一端与其一太阳能电池模组的导电衬底一体连接;另一太阳能电池模组的导电衬底设置有裸露部,缓冲连接结构沿延伸方向呈弯曲状并且翻转以使得第一导电层与另一太阳能电池模组的裸露部连接,能够应力缓冲,连接稳定可靠,在焊接点位置处的第一导电层与裸露部与太阳电池功能层的材料不相同,在焊接时承受的热量不易传导至太阳电池功能层,提高了焊接良率。
技术领域
本发明涉及柔性半导体技术领域,特别涉及一种柔性太阳能电池组件及其制作方法。
背景技术
柔性太阳能电池组件一般由多个太阳能电池模组依次串联而成,而相邻的太阳能电池模组之间一般通过叠瓦结构或者平行缝焊结构来连接,叠瓦结构使得柔性太阳能电池组件整体连接强度差,太阳能电池模组所受应力大,可靠性差,而平行缝焊结构容易对太阳能电池模组内的太阳能功能层造成损伤。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种柔性太阳能电池组件,能够应力缓冲,连接稳定可靠。
本发明还提出一种柔性太阳能电池组件的制作方法,提升产品连接可靠性,提高生产良品率。
根据本发明的第一方面实施例的一种柔性太阳能电池组件,包括:至少两个太阳能电池模组,所述太阳能电池模组包括依次叠放的表面电极、太阳能功能层以及导电衬底;缓冲连接结构,包括第一导电层、绝缘层以及第二导电层,所述第一导电层、所述绝缘层以及所述第二导电层依次叠放,所述第一导电层的一端与其一所述太阳能电池模组的所述表面电极一体连接,所述第二导电层的一端与其一所述太阳能电池模组的所述导电衬底一体连接;另一所述太阳能电池模组的所述导电衬底设置有裸露部,所述缓冲连接结构沿延伸方向呈弯曲状并且翻转以使得所述第一导电层与另一所述太阳能电池模组的所述裸露部连接,并且在另一所述太阳能电池模组中,所述裸露部与所述第一导电层连接的表面和所述导电衬底与太阳能功能层连接的表面于同一侧。
根据本发明实施例的一种柔性太阳能电池组件,至少具有如下有益效果:
本发明柔性太阳能电池组件,相邻两个太阳能电池模组通过缓冲连接结构来实现导电连接,正极和负极分别位于太阳能功能层的上下两侧面,表面电极与太阳能功能层的一极连接,而导电衬底则与太阳能功能层的另一极连接,缓冲连接结构中,第一导电层的一端与其一太阳能电池模组的表面电极一体连接,第二导电层的一端与其一太阳能电池模组的导电衬底一体连接,与导电衬底一体的第二导电层能够对缓冲连接结构整体起到加固作用,而绝缘层则能够使得第一导电层和第二导电层之间绝缘隔离,第一导电层、绝缘层以及第二导电层一起弯曲并且翻转,使得位于上表面的第一导电层翻转至下表面,与裸露部的上表面连接,裸露部与第一导电层连接的表面和导电衬底与太阳能功能层连接的表面于同一侧,从而使得相邻的两个太阳能电池模组串联,而由于缓冲连接结构沿延伸方向呈弯曲状并且翻转,能够驱使两个太阳能电池模组相互靠近,从而使得连接紧密,并且,在受到力作用下,弯曲状能够起到应力缓冲作用,连接稳定可靠。
根据本发明的一些实施例,所述第一导电层、绝缘层以及第二导电层均为柔性材料。
根据本发明的一些实施例,所述第一导电层与所述裸露部焊接。
根据本发明的一些实施例,所述太阳能功能层和所述裸露部与所述第一导电层的焊接位置具有隔离空间。
根据本发明的一些实施例,所述绝缘层的一端延伸设置至其一所述太阳能电池模组中的部分所述表面电极和部分所述太阳能功能层的叠放位置之间。
根据本发明的一些实施例,所述太阳能电池模组为条形,所述缓冲连接结构设置在所述太阳能电池模组上与设置有所述裸露部的位置相背离的一端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山德华芯片技术有限公司,未经中山德华芯片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011511065.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的