[发明专利]一种晶圆快速定位装置及方法有效

专利信息
申请号: 202011512293.3 申请日: 2020-12-19
公开(公告)号: CN112720119B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 许剑锋;张建国;郑正鼎;汪凯;陈肖;肖峻峰 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B24B7/22 分类号: B24B7/22;B24B41/06;H01L21/68;H01L21/683
代理公司: 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 代理人: 张彩锦;梁鹏
地址: 430074 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 定位 装置 方法
【说明书】:

发明属于超精密加工领域,并具体公开了一种晶圆快速定位装置及方法,其包括旋转动力单元、真空吸附单元和定位环,真空吸附单元安装在旋转动力单元上,并可由旋转动力单元带动旋转,其包括真空吸盘以及与真空吸盘相连的真空发生器,真空吸盘上开设有若干个均匀分布的吸附孔;定位环套装在真空吸盘的外部且覆盖部分吸附孔,以此通过真空发生器的作用将定位环吸附在真空吸盘上,并且定位环的内径与晶圆的外径相适应,以此实现晶圆的快速准确定位。本发明可实现晶圆的快速精确定位,并且降低晶圆与外物碰撞发生碎裂的概率,提高晶圆加工的精度和效率。

技术领域

本发明属于超精密加工领域,更具体地,涉及一种晶圆快速定位装置及方法。

背景技术

晶圆是硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,其需求大,切割精度要求高,为了提高晶圆在加工过程中的加工速率和精度,需要快速和高精度的定位晶圆,因此,晶圆的快速精确定位对于提高晶圆加工效率至关重要。

由于晶圆很薄,只有数十微米,不易拿放,且碰撞后容易碎裂。在传统的晶圆定位的方法和装置里,经常出现定位时间过长、定位精度难以保证或者晶圆在定位过程中损坏的情况,导致晶圆的高精度加工效率低下。因此,本领域有必要进行研究,以获得一种适用于晶圆快速定位的装置。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本发明提供了一种晶圆快速定位装置及方法,其通过整体结构的设计,可实现晶圆的快速精确定位,并且可降低晶圆与外物碰撞发生碎裂的概率,提高晶圆加工的精度和效率。

为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提出了一种晶圆快速定位装置,其包括旋转动力单元、真空吸附单元和定位环,其中:

所述真空吸附单元安装在所述旋转动力单元上,并可由旋转动力单元带动旋转,其包括真空吸盘以及与该真空吸盘相连的真空发生器,所述真空吸盘上开设有若干个均匀分布的吸附孔;

所述定位环套装在真空吸盘的外部且覆盖部分吸附孔,以此通过真空发生器的作用将定位环吸附在真空吸盘上,并且该定位环的内径与待定位晶圆的外径相适应,以此实现晶圆的快速准确定位。

作为进一步优选的,所述真空吸盘呈阶梯圆柱形,其大端与所述旋转动力单元相连,并通过管道与所述真空发生器连通,所述吸附孔开设在真空吸盘的小端上,并且这些吸附孔与所述管道导通,所述真空吸盘大端上还开设有用于安装质量块的孔。

作为进一步优选的,所述定位环为分体式结构,其由两个结构相同的圆环结构组合而成,所述圆环结构的内壁与真空吸盘小端的侧壁过盈配合,该圆环结构上还设置有沿其径向延伸的环形凸台,该环形凸台与真空吸盘小端的上表面贴合,且其内径与晶圆的外径相等。

作为进一步优选的,所述吸附孔以真空吸盘的中心为圆心呈环形分布,且设计时满足如下条件:晶圆的半径比其覆盖的吸附孔区域的半径大0.5mm以上。

作为进一步优选的,所述吸附孔的直径设计为2mm~3mm。

作为进一步优选的,所述真空吸盘由不锈钢制成,所述定位环由钛合金制成。

作为进一步优选的,所述旋转动力单元包括主轴电机以及与其相连的旋转主轴,所述真空发生器安装在所述主轴电机上,所述真空吸盘安装在所述旋转主轴上。

作为进一步优选的,所述旋转动力单元外部还设置有基座。

按照本发明的另一方面,提供了一种晶圆快速定位方法,其采用所述的定位装置实现,其包括如下步骤:

(1)将定位环安装在真空吸盘上,使定位环与真空吸盘的端面和周面紧密接触;

(2)将晶圆放置在定位环内,使晶圆与定位环的环壁紧密接触,同时启动真空发生器进行低真空吸附,以将晶圆吸附在真空吸盘的表面;

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