[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层；对栅极层图案化形成栅极图案层；以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。由于在对栅绝缘层进行图案化处理时是直接以栅极图案层作为其掩膜层，因此，经过图案化处理的栅绝缘图案层与其上边的栅极图案层上下位置对应，两者的边缘能够对齐，进而形成自对准结构，避免了现有为实现栅极图案层和栅绝缘图案层自对准时繁琐的工艺流程，提高了薄膜晶体管制备的效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

近年来，氧化物半导体薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低温制备的特点，得到了广泛的应用。由于面板朝着大尺寸、高分辨率和高分辨率方向发展，对薄膜晶体管(Thin Film Transistors，TFT)的性能提出了更高的要求。

现有薄膜晶体管中通常形成有自对准结构以便于提高器件自身的性能，但是由于其在形成过程中需要进行步骤较为繁琐的工艺流程，故不利于提高制备效率。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种薄膜晶体管及其制备方法，以简化现有薄膜晶体管中形成自对准结构时步骤繁杂的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

本发明实施例的一方面，提供一种薄膜晶体管制备方法，方法包括：在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层；对栅极层图案化形成栅极图案层；以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。

可选的，在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层之前，方法还包括：在衬底上形成沟道图案层。

可选的，栅极图案层在衬底上的正投影位于沟道图案层在衬底上的正投影内。

可选的，以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层之后，方法还包括：在栅极图案层上形成钝化层。

可选的，在栅极图案层之上形成钝化层包括：在栅极图案层上通过溅射形成钝化层，以在沟道图案层上与钝化层的接触界面处形成高导层。

可选的，沟道图案层的材质为含铟氧化物。

可选的，在栅极图案层上形成钝化层之后，方法还包括：在钝化层上分别形成穿透钝化层的第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔分别位于栅极图案层的两侧，且第一接触孔和第二接触孔分别延伸至沟道图案层以连通沟道图案层；在第一接触孔和第二接触孔内分别设置导电材料以对应形成源极和漏极。

可选的，在第一接触孔和第二接触孔内分别设置导电材料以对应形成源极和漏极包括：在第一接触孔和第二接触孔内通过直流溅射沉积导电材料以对应形成源极和漏极。

可选的，在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层之前，方法还包括：在衬底上形成缓冲层。

本发明实施例的另一方面，提供一种薄膜晶体管，采用上述任一种的薄膜晶体管制备方法制备，包括：衬底和在衬底上依次设置栅绝缘图案层和栅极图案层。

本发明实施例的再一方面，提供一种显示器件，包括上述的薄膜晶体管。

本发明的有益效果包括：