[发明专利]具有混合的硅上III-V族调制器的光学架构

说明书

实施例可以涉及一种电子设备，该电子设备包括用于调制输入信号的同相部分和输入信号的正交部分的调制器。调制器可以包括在硅衬底上的III‑V族材料。在一些实施例中，III‑V族材料可以包括例如磷化铟(InP)。可以描述或要求保护其他实施例。

背景技术

基于各自具有高达100Gb/s的四个通道的相位-幅度调制(PAM)-4调制方案，基于硅光子的高速调制器可能能够支持高达400千兆字节每秒(GB/s)。在一致性应用的情况下，硅光子调制器可能能够支持高达64千兆波特(GBaud)和64个正交-幅度调制(QAM)高阶调制，因此，使用一致性数字信号处理器(DSP)来支持高达600Gb/s每通道。

然而，基于硅光子的调制器可以在诸如相对高的半波电压(V_pi)之类的区域中包括固有限制。例如，V_pi可以在2伏(V)和5V之间的量级上。针对直接的PAM-4和QAM-64应用二者，硅光子调制器还可以具有大约20千兆赫兹(p)和大约40GHz之间的量级上的带宽。因此，可能难以产生低功率和高波特率的设备用于太字节每秒(Tb/s)的量级上的操作。

附图说明

图1描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的示例光学架构。

图2a和图2b描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的光子发送器的示例结构。

图3描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的替代的示例光学架构。

图4描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的替代的示例光学架构。

图5描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的替代的示例光学架构。

图6描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的替代的示例光学架构。

图7描绘了根据各种实施例的包括混合调制器的替代的示例光学架构。

图8是根据各种实施例的可以包括混合调制器的晶圆和管芯的俯视图。

图9是根据各种实施例的可以包括具有混合调制器的光学架构的示例电气设备的框图。

具体实施方式

在下面的具体实施方式中，参考形成其一部分的附图，在附图中，类似的附图标记始终指定类似的部分，并且其中，通过可以在其中实践本公开的主题的说明性实施例进行示出。应当理解的是，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑的改变，而不背离本公开的范围。因此，不应当以限制性意义进行以下具体实施方式。

出于本公开的目的，短语“A或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

该描述可以使用基于透视图的描述，例如顶部/底部、内部/外部、上方/下方等。这样的描述仅仅用于促进讨论，而不旨在将本文所描述的实施例的应用限制于任何特定的朝向。

该描述可以使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，其可以各自指代相同或不同的实施例中的一个或多个。此外，关于本公开的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。

在本文中可以使用术语“与……耦合”及其派生词。“耦合”可以意指以下各项中的一种或多种。“耦合”可以意指两个或更多个元件直接物理或电气接触。然而，“耦合”还可以意指两个或更多个元件彼此间接地接触，但是仍然彼此协作或交互，并且可以意指一个或多个其他元件被耦合或连接在被称为彼此耦合的元件之间。术语“直接地耦合”可以意指两个或更多个元件直接接触。

在各种实施例中，短语“在第二特征上[[形成/沉积/布置/等]]的第一特征”可以意指第一特征在特征层上形成/沉积/布置等，并且第一特征的至少一部分可以与第二特征的至少一部分直接接触(例如，直接物理或电气接触)或间接接触(例如，在第一特征和第二特征之间具有一个或多个其他特征)。