[发明专利]用于非易失性存储器编程操作的智能序言

说明书

对于通过编程和编程验证操作写入的非易失性(NV)存储介质(例如，NAND(与非)介质)，系统可以应用智能序言操作。智能序言操作可以选择性地应用标准编程序言，以针对目标子块计算编程参数。智能序言操作可以选择性地应用加速的编程序言，从而针对NV存储介质的相同块的随后的子块应用先前计算出的编程参数。应用之前的编程参数可以减少针对其他子块计算编程参数的需要。

技术领域

描述总体上涉及非易失性存储装置，并且更具体的描述涉及用于非易失性存储器编程操作的可变序言序列。

背景技术

对诸如NAND(与非)介质之类的非易失性介质块进行编程或写入可以包括三个部分：序言、编程和验证序列、以及结尾。传统上，介质控制器计算一个或多个编程参数，以应用这些编程参数来在序言期间对非易失性介质块进行编程。在不计算编程参数的情况下，对非易失性介质的编程将不具有适当的性能。

编程操作的速度可以是计算系统的用户所感知的性能。因此，较短的编程操作可以改进系统性能。随着编程和验证序列的改进，执行编程和验证花费的时间减少了。随着编程和验证花费的时间的减少，在序言操作中执行计算的时间成为整个编程时间中更重要的部分。

附图说明

下面的描述包括对附图的讨论，这些附图具有通过实现方式的示例的方式给出的图示。应该通过示例而非限制的方式来理解附图。如本文所使用的，对一个或多个示例的引用应被理解为描述了被包括在本发明的至少一种实现方式中的特定特征、结构或特性。本文中出现的诸如“在一个示例中”或“在替代示例中”之类的短语提供了本发明的实现方式的示例，并且不一定全部指代相同的实现方式。然而，这些短语也不一定相互排斥。

图1是其中非易失性存储器可以应用选择性地缩短的序言的系统的示例的框图。

图2是存储器架构的示例的框图，该存储器架构被细分为可以应用所存储的编程参数的阵列块。

图3是包括具有子块架构的存储器设备的系统的示例的框图，其中在针对第一子块计算编程参数之后，可以将该编程参数应用于不同的子块。

图4是用于应用智能序言的编程操作的脉冲序列的示例的图。

图5是用于利用智能序言进行编程的过程的示例的流程图。

图6是应用智能序言的编程操作的示例的图。

图7是用于应用智能序言的编程操作的相对时序的示例的图。

图8A是具有固态驱动器(SSD)的硬件视图的系统的示例的框图，该SSD应用选择性编程参数计算来对非易失性阵列进行编程。

图8B是具有固态驱动器(SSD)的系统的逻辑视图的示例的框图，该SSD应用选择性编程参数计算来对非易失性阵列进行编程。

图9是计算系统的示例的框图，其中可以实现用于对非易失性阵列进行编程的选择性编程参数计算。

图10是移动设备的示例的框图，其中可以实现用于对非易失性阵列进行编程的选择性编程参数计算。

下面是对某些细节和实现方式的描述，包括附图的非限制性描述，其可以描绘一些或所有示例以及其他潜在的实现方式。

具体实施方式

如本文所描述的，可以根据智能序言操作对通过编程和编程验证操作写入的非易失性(NV)存储介质进行编程。智能序言操作选择性地应用标准编程序言以及对针对目标子块的编程参数的计算，或者将加速的编程序言以及所存储的计算出的编程参数应用于子块。智能序言操作可以选择性地应用加速的编程序言，从而应用针对NV存储介质的块的相同子块先前计算出的编程参数。应用之前的编程参数可以减少对针对其他子块的编程参数的重新计算，其中可以以适当的编程性能来应用对先前的编程参数的计算。