[发明专利]金属厚膜的离子束刻蚀方法及其应用

权利要求书

1.一种金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于，将金属厚膜进行部分刻蚀，并使其变脆，然后机械剥离金属厚膜的刻蚀区，使未刻蚀区得到具体所需花样，得到具有所需图案的金属厚膜，不用完全刻透厚膜，即实现厚膜的刻蚀。

2.根据权利要求1所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于，包括如下的步骤：

1)根据金属厚膜厚度、光刻胶和金属厚膜的刻蚀速率，按照公式计算出需要涂抹光刻胶的厚度，其中δ、H_G、H_h、V_G和V_h分别是金属厚膜的刻蚀深度与其厚度之比、光刻胶厚度、金属厚膜厚度、光刻胶的刻蚀速度和金属厚膜的刻蚀速度，在衬底表面将沉积厚膜，然后在厚膜表面上均匀涂上厚度为0.01-50μm的光刻胶；

2)使用掩膜版，在紫外曝光后，获得具有所需花样的光刻胶，暴露出刻蚀区，此时使整个厚膜分为光刻胶区和刻蚀区；

3)将厚膜放入离子束刻蚀机中，抽气压不高于5×10^-4Pa，然后通氩气进入离子源，保持在10^-2Pa级别的工作气压，使用氩离子束刻蚀整个厚膜，使光刻胶区和刻蚀区皆被刻蚀；并在光刻胶完全刻蚀之前，先刻蚀金属厚膜，需要刻蚀厚膜去除的厚度部分不低于厚膜厚度的10％；

4)用丙酮溶液，将厚膜表面残留的光刻胶溶解去除，然后将厚膜从衬底上进行机械剥离，并将厚膜转移到其他衬底上，从而获得所需花样的厚膜。

3.根据权利要求2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：在所述步骤1)中，按照公式计算出需要涂抹光刻胶的厚度。

4.根据权利要求2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：在所述步骤3)中，保持在10^-2Pa级别的工作气压进行刻蚀的工作气压为1～5×10^-2Pa。

5.根据权利要求1或2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：所述金属厚膜的材料为单质金属或合金。

6.根据权利要求1或2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：厚膜的厚度为1-50μm。

7.根据权利要求1或2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：厚膜的具体刻蚀深度依据金属厚膜本身特性确定。

8.根据权利要求1或2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法，其特征在于：对于单质金属或合金材料的厚膜，需要刻蚀厚膜去除的厚度部分不低于厚膜厚度的50％。

9.一种权利要求1或2所述金属厚膜的离子束刻蚀方法的应用，其特征在于：应用于集成电路芯片或促动器的金属膜的图案制备工艺过程。