[发明专利]集成电路封装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202011516793.4 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN113013153A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 郑心圃;陈硕懋;许峯诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/50
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成电路 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种形成集成电路封装件的方法,包括:

将第一封装件组件和第二封装件组件接合到中介层,其中,所述第一封装件组件包括核心器件管芯,所述第二封装件组件包括存储器管芯;

将无源器件接合到中介层,其中,所述无源器件通过所述中介层中的第一导电路径电连接到所述第一封装件组件;以及

将封装件衬底接合到所述中介层,其中,所述封装件衬底位于所述中介层的与所述第一封装件组件和所述第二封装件组件相反的一侧上。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将桥接管芯接合到所述中介层,其中,所述桥接管芯与所述封装件衬底位于所述中介层的相同一侧上,并且其中,所述桥接管芯电连接到所述第一封装件组件。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述封装件衬底包括凹槽,并且所述桥接管芯包括延伸到所述凹槽中的部分。

4.根据权利要求2所述的方法,还包括:将第三封装件组件接合到所述中介层,其中,所述第三封装件组件包括附加核心器件管芯,并且所述桥接管芯将所述第一封装件组件电连接到所述第三封装件组件。

5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述桥接管芯通过焊料区域直接接合到所述封装件衬底。

6.根据权利要求2所述的方法,其中,所述桥接管芯包括:

半导体衬底;以及

导电路径,位于所述半导体衬底的一侧上,其中,所述导电路径电连接到所述中介层和所述第一封装件组件。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述中介层包括:

衬底;以及

贯通孔,穿过所述衬底,其中,所述贯通孔电互连所述第一封装件组件和所述封装件衬底。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述衬底是半导体衬底。

9.一种集成电路封装件,包括:

中介层,包括:

第一半导体衬底;以及

第一多个贯通孔,穿过所述第一半导体衬底;

第一封装件组件和第二封装件组件,接合到所述中介层的第一侧;

无源器件,接合到所述中介层的所述第一侧;以及

桥接管芯,接合到所述中介层的第二侧,其中,所述桥接管芯通过所述中介层将所述第一封装件组件电连接到所述第二封装件组件。

10.一种集成电路封装件,包括:

封装件组件,所述封装件组件中包括导电路径;

第一片上系统封装件、第二片上系统封装件、存储块和独立无源器件管芯,位于所述封装件组件上方并且接合到所述封装件组件,其中,所述独立无源器件管芯和所述存储块中的每一个通过所述导电路径的部分电连接到所述第一片上系统封装件和所述第二片上系统封装件中的一个;以及

桥接管芯,位于所述封装件组件下方并且接合到所述封装件组件,其中,所述桥接管芯将所述第一片上系统封装件电连接到所述第二片上系统封装件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011516793.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top