[发明专利]具有可编程接触点的半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一栅极堆叠，位在该基底上；

多个可编程接触点，位在该栅极堆叠上；

一对重度掺杂区，位在邻近该栅极堆叠的两侧处，并位在该基底中；以及

多个第一接触点，位在该对重度掺杂区上；

其中该多个可编程接触点的一宽度小于该多个第一接触点的一宽度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该栅极堆叠包括一栅极隔离层、一栅极下导电层以及一栅极上导电层，该栅极隔离层位在该基底上，该栅极下导电层位在该栅极隔离层上，该栅极上导电层位在该栅极下导电层上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该半导体元件还包括一对第一间隙子，贴合到该栅极隔离层的各侧壁以及该栅极下导电层的各侧壁。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该栅极隔离层具有一厚度，介于0.5nm到5.0nm之间，而该栅极隔离层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅所制。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，该栅极下导电层具有一厚度，介于50nm到300nm之间，且该栅极下导电层由掺杂多晶硅所制。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，该栅极上导电层具有一厚度，介于2nm到50nm之间，该栅极上导电层由一金属硅化物所制。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该半导体元件还包括一对轻度掺杂区，位在邻近该对重度掺杂区处，并位在该基底中。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该多个可编程接触点的该宽度对该栅极上导电层的一宽度的比率，介于1：2到1：10之间。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该半导体元件还包括一对第二间隙子，贴合到该对第一间隙子的侧壁。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该半导体元件还包括多个气隙，位在该多个可编程接触点之间。

11.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该栅极隔离层包括一中心部以及二端部，其中该二端部的氧浓度大于该中心部。

12.一种半导体元件，包括：

一基底；

一栅极堆叠，位在该基底上；

多个可编程接触点，位在该栅极堆叠上；

一对应力区，位在邻近该栅极堆叠的两侧处，并位在该基底中；以及

多个第一接触点，位在该对应力区上；

其中该多个可编程接触点的一宽度小于该多个第一接触点的一宽度。

13.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

形成一栅极堆叠在该基底上，并形成一对重度掺杂区在该基底中；

形成一可编程接触点在该栅极堆叠上，该可编程接触点具有一第一宽度；

形成一第一接触点在该对重度掺杂区其中之一上，该第一接触点具有一第二宽度，而该第二宽度大于该第一宽度。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中，形成该栅极堆叠在该基底上的步骤，包括：

形成一栅极隔离层在该基底上；

形成一栅极下导电层在该栅极隔离层上；以及

形成一栅极上导电层在该栅极下导电层上。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中，形成具有该第一宽度的该可编程接触点在该栅极堆叠上的步骤，包括：

形成多个催化剂单元在该栅极上导电层上；以及

生长所述催化剂单元进入该可编程接触点。