[发明专利]加料装置

说明书

本发明公开一种加料装置，包括钼杆、石英锥和护罩，钼杆的一端具有头部；石英锥内开设有轴向贯通设置的安装槽，所述安装槽包括由锥顶到锥底依次设置的第一安装槽和第二安装槽，所述第一安装槽与所述钼杆相适配，所述第二安装槽与所述头部相适配，所述钼杆穿设过所述第一安装槽向上延伸，并通过所述头部限位于所述第二安装槽中；护罩可拆卸地安装在所述石英锥的锥底，以将所述头部封堵于所述石英锥内部。本发明提供的加料装置中钼杆的头部不会被高温硅料氧化，也不会发生掉屑污染硅料的情况，可大大降低对硅料的污染，提升单晶硅的品质。

技术领域

本发明涉及硅料加装技术领域，尤其涉及一种加料装置。

背景技术

单晶硅生长炉是生产单晶硅的拉晶装置，在拉晶过程中需要进行二次加料，目前的二次加料装置通常由石英筒、石英锥和钼杆组成，石英筒下部设有卸料口，石英锥与石英筒的侧壁围构成硅料盛放区，钼杆轴向设置在石英筒中，钼杆穿设在石英锥上，钼杆的头部卡配在石英锥的底部，其中，钼杆在外力的作用下提拉石英锥可以进行进行储料，也可以在外力的作用下推动石英锥，将硅料从石英筒的卸料口投入熔炉中。

然而虽然常温下的钼在空气中性质稳定，但是若钼的温度高于600℃，其将很快被氧化生成三氧化钼，而二次加料装置中钼杆的头部在加料过程中，当推动石英锥向下移动时会靠近真空区的熔料，该区域的温度达到1420℃左右，当加料完成后被提出的钼杆的头部会在空气中迅速氧化，如此反复循环的加料过程，会使钼杆或钼杆的头部产生灰色或黑色的固体氧化物，这些氧化物会与硅料盛放区内的硅料接触，或者落入单晶炉内的熔料中，对硅料形成污染，降低单晶品质。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中所述的缺陷，提供一种加料装置，该加料装置中钼杆的头部不会被高温硅料氧化，也不会发生掉屑污染硅料的情况，可大大降低对硅料的污染，提升单晶硅的品质。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种加料装置，包括：

钼杆，所述钼杆的一端具有头部；

石英锥，所述石英锥内开设有轴向贯通设置的安装槽，所述安装槽包括由锥顶到锥底依次设置的第一安装槽和第二安装槽，所述第一安装槽与所述钼杆相适配，所述第二安装槽与所述头部相适配，所述钼杆穿设过所述第一安装槽向上延伸，并通过所述头部限位于所述第二安装槽中；

护罩，可拆卸地安装在所述石英锥的锥底，以将所述头部封堵于所述石英锥内部。

作为一种可实施的方式，所述护罩与所述石英锥的连接处位于所述石英锥的内部。

作为一种可实施的方式，所述安装槽还包括设于所述第二安装槽下方的卡配槽，所述护罩扣合于所述卡配槽内。

作为一种可实施的方式，所述卡配槽的内壁上至少具有一对径向延伸的限位挡板，所述挡板将卡配槽分割为依次与第二安装槽相连通的键槽和容纳槽，相邻两个限位挡板间形成第一通道，各个所述限位挡板的自由端组成与所述石英锥同轴的第二通道，所述卡配槽和所述第二通道的直径均大于所述第二安装槽的直径。

作为一种可实施的方式，所述护罩包括与所述第二通道相适配的堵头，所述堵头的侧壁上至少设有两个侧翼，所述侧翼可通过所述第一通道进入所述键槽中，并可旋转至所述限位档板的上方与所述卡配槽进行扣合。

作为一种可实施的方式，所述卡配槽的纵切面呈“T”型。

作为一种可实施的方式，所述限位挡板的自由端还连接有限位壁，其中所述自由端呈弧形，所述限位壁由所述自由端轴向延伸至所述石英锥的锥底而成，所述限位壁与所述堵头的侧壁相适配。

作为一种可实施的方式，所述侧翼与所述堵头的顶壁共面，所述第二安装槽的深度等于所述头部的高度。