[发明专利]一种改善晶圆破片的激光退火设备及其使用方法在审
| 申请号： | 202011518320.8 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112670206A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 柳俊;谢威;张立 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 破片 激光 退火 设备 及其 使用方法 | ||
1.一种改善晶圆破片的激光退火设备，其特征在于，至少包括：
卡盘，位于所述卡盘上的晶圆；所述晶圆上方设有挡板，所述挡板的一侧边缘为半圆弧形，该半圆弧形与所述晶圆的上半部分嵌合；并且所述晶圆上半部分边缘被所述挡板遮住；
所述挡板的半圆弧形的边缘为锯齿状结构；
位于所述晶圆与所述挡板上方的WPC照相装置，该WPC照相装置用于监测所述晶圆与所述挡板的嵌合度，并用于调整所述晶圆的位置。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆破片的激光退火设备，其特征在于：所述晶圆上半部分边缘被所述挡板遮住的宽度为2.8mm。
3.根据权利要求1所述的改善晶圆破片的激光退火设备，其特征在于：所述挡板的锯齿状结构的边缘用于减弱激光在晶圆上的光的衍射作用。
4.根据权利要求1所述的改善晶圆破片的激光退火设备，其特征在于：所述嵌合度为所述晶圆相对于所述挡板的半圆弧形的边缘的偏移。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的改善晶圆破片的激光退火设备的使用方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、将晶圆置于所述激光退火设备的卡盘上；
步骤二、利用所述WPC照相装置监测所述晶圆与所述挡板的嵌合度，当所述晶圆相对于所述挡板的半圆弧形的边缘发生偏移时，调整所述晶圆的位置，使得所述晶圆上半部分与所述挡板的半圆弧形边缘完全嵌合，并且嵌合状态下所述晶圆上半部分的边缘被所述挡板遮住，所述晶圆上半部分边缘被所述挡板遮住的宽度为2.8mm；
步骤三、利用所述激光退火设备对所述晶圆表面进行激光扫描进而退火。
6.根据权利要求5所述的改善晶圆破片的激光退火设备的使用方法，其特征在于：步骤三中调整所述晶圆的位置至所述晶圆的上半部分边缘与所述挡板的半圆弧形的边缘的距离为2.8mm，使得所述晶圆上半部分的边缘被所述挡板遮住。
7.根据权利要求5所述的改善晶圆破片的激光退火设备的使用方法，其特征在于：步骤三中利用激光扫描所述晶圆表面的过程中，激光束与所述晶圆的表面呈75度角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
