[发明专利]一种改善LCOS工艺缺陷的方法在审
| 申请号： | 202011518396.0 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112652520A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 何亮亮;梁成栋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/321;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 lcos 工艺 缺陷 方法 | ||
1.一种改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
步骤一、提供用于LCOS工艺的像素区和逻辑区，所述像素区和逻辑区彼此相邻；并且所述像素区设有上表面暴露的顶层铜；
步骤二、在所述顶层铜上表面沉积一层保护层，使所述顶层铜上表面产生丘状凸起以释放所述顶层铜表面的应力；
步骤三、刻蚀去除所述保护层；
步骤四、平坦化所述顶层铜的上表面以去除所述丘状凸起；
步骤五、在平坦化的所述顶层铜的上表面再次沉积所述保护层。
2.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述顶层铜的厚度为
3.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素区的所述上表面暴露的顶层铜是由刻蚀所述像素区中位于所述顶层铜上的叠层，将所述顶层铜暴露而形成。
4.根据权利要求3所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一的所述像素区的所述叠层自下而上由第一氮化硅层、第一氧化硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层叠加构成。
5.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述保护层为氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述保护层为NDC层。
7.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述保护层为氮化硅层或NDC层。
8.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤四中平坦化所述顶层铜的上表面的方法为化学机械研磨法。
9.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：该方法用于LCOS中55nm铜互连工艺。
10.根据权利要求3所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述逻辑区自下而上设有所述叠层以及位于所述叠层中的接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
