[发明专利]一种显示器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括依次层叠设置的蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片；

所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括依次并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；

所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层组成，且所述第一透明导电层靠近所述第一偏光片；

所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层组成，且所述第二透明导电层靠近所述第一偏光片；

所述第三发光单元为第三透明导电层。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述蓝光背光源包括LED芯片；

优选地，所述LED芯片由氮化镓外延形成；

优选地，所述LED芯片的长和宽各自独立地为1-50μm；

优选地，所述蓝光LED芯片的发光峰值波长为420-480nm。

3.根据权利要求1或2所述的显示器件，其特征在于，所述量子点沉积基板包括玻璃基板。

4.根据权利要求1-3任一项所述的显示器件，其特征在于，所述红光量子点沉积层包括红光量子点材料；

优选地，所述绿光量子点沉积层包括绿光量子点材料；

优选地，所述红光量子点材料和绿光量子点材料各自独立地包括A_xM_yE_z体系材料以及依次包覆在A_xM_yE_z体系材料表面的包覆层材料和配体材料，所述x为0.3-2.0，y为0.5-3.0，z为0-4.0；

所述A为Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一种；

所述M为S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一种；

所述E为S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一种；

优选地，所述A_xM_yE_z体系材料包括GaN、CdSe、InP或CsPbBr₃中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述包覆层材料包括有机高分子溶液和/或无机化合物；

优选地，所述配体材料包括有机盐；

优选地，所述有机盐包括醋酸钠、乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵或硫酸铵中的任意一种或至少两种的组合。

5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述红光量子点材料的粒径为7-12nm；

优选地，所述绿光量子点材料的粒径为3-7nm；

优选地，所述红光量子点材料的发光峰值波长为600-660nm；

优选地，所述绿光量子点材料的发光峰值波长为510-550nm；

优选地，所述红光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm；

优选地，所述绿光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括贴覆于第二偏光片表面的屏幕玻璃。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

首先将透明导电材料涂覆在量子点沉积基板上形成依次并排设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，再将绿光量子点电沉积溶液和红光量子点电沉积溶液通过电沉积的方法分别沉积在第一透明导电层和第二透明导电层上，得到量子点发光层，最后将第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片依次层叠贴覆于蓝光背光源上。