[发明专利]一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 202011519121.9 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112521144B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 傅邱云;董文;马琪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 彭翠;方放 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 巨介电反铁磁 陶瓷材料 及其 制备 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷材料，其特征在于，由陶瓷粉体组合物经烧结得到；所述陶瓷粉体组合物包括主成分SnO2粉体，还包括改性剂，所述改性剂为过渡金属氧化物粉体，所述改性剂在所述陶瓷粉体组合物中的摩尔百分数低于10%；该陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：将所述的陶瓷粉体组合物烘干后与粘结剂混合造粒，然后压片成型得到生胚，将所述生胚进行高温排胶后烧结，得到所述陶瓷材料；所述烧结温度为1300～1500℃；
该陶瓷材料在低于50K温度条件下具有巨介电性能以及反铁磁性，且在低于50K时该陶瓷材料介电损耗tanθ1。
2.如权利要求1所述的陶瓷材料，其特征在于，所述改性剂在所述陶瓷粉体组合物中的摩尔百分数小于或等于5%。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷材料，其特征在于，所述过渡金属氧化物为CoO和/或Ta2O5。
4.如权利要求1至3任一项所述的陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述的陶瓷粉体组合物烘干后与粘结剂混合造粒，然后压片成型得到生胚，将所述生胚进行高温排胶后烧结，得到所述陶瓷材料；所述烧结温度为1300～1500℃。
5.如权利要求1至3任一项所述的陶瓷材料的应用，其特征在于，用于制备低温巨介电材料。
6.一种低温巨介电陶瓷材料，其特征在于，包含如权利要求1至3任一项所述的陶瓷材料。
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