[发明专利]晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法

说明书

本发明提供一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法，晶边处理设备包括：基座、第一处理组件和第二处理组件，第一处理组件具有反应液喷口以向待处理晶圆结构提供反应液，第二处理组件位于第一处理组件下方，第一处理组件的下表面形成凹部，第二处理组件的上表面形成与凹部相配合的凸部，以使对待处理晶圆处理时反应液溅射朝向第二处理组件。本发明对处理设备进行了设计，在待处理晶圆基于反应液进行处理的工艺中，通过在第二处理组件上设置挡板实现反应液飞溅的遮挡，还可以通过第一处理组件有效防止设备沉积物对待处理晶圆的影响，可以延长工艺维护(PM)周期，减小工程师的过工作量，提高芯片质量。

技术领域

本发明属于集成电路器件制造领域，特别是涉及一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，一般以晶圆为基础，需要对晶圆上的膜层基于反应液进行处理。例如，通常需要采用不同材料在晶圆表面沉积膜层。在经过多道的沉积、掩膜等制程后，在晶圆的边缘区域(如晶圆bevel)等会产生缺陷源，因此，这种情况下需要对晶圆边缘进行处理以去除缺陷，即进行晶边刻蚀。然而，在上述基于反应液处理的过程中，基于现有设备配置等问题，会出现反应液飞溅等问题，从而导致化学反应液飞溅到设备表面等，化学物质等产生积累结晶，从而影响产品质量。同时，PM周期较短，需要及时维护设备，也会增加EE loading(造成设备工程师的过工作量)，此外，这些设备上的沉积物也会返溅到晶圆上，影响芯片质量。

因此，如何提出一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法，以解决现有技术的上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法，用于解决现有技术中待处理晶圆结构在基于反应液进行处理的工艺中反应液溅射到晶圆处理设备上影响设备维护周期并影响芯片质量等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶边处理设备，包括：

基座，用于承载待处理晶圆结构；

第一处理组件，设置在所述基座的一侧，所述第一处理组件包括反应液喷口，以基于所述反应液喷口向所述待处理晶圆结构提供反应液；

第二处理组件，设置在所述第一处理组件下方，并位于所述基座的一侧，且所述第一处理组件下表面与所述第二处理组件上表面之间形成工作间隙；

其中，所述第一处理组件的下表面形成凹部，所述第二处理组件的上表面形成与所述凹部相配合的凸部，以使对所述待处理晶圆处理时反应液溅射朝向所述第二处理组件。

可选地，所述第二处理组件包括第一遮挡罩和与所述第一遮挡罩相结合的第二遮挡罩，其中，所述第二遮挡罩包括相连的主体部和延伸部，所述延伸部构成所述凸部，所述主体部的上表面与所述第一遮挡罩结合。

可选地，所述主体部和所述凸部朝向所述基座的一侧形成倾斜设置的阻挡面，所述反应液至少朝向所述凸部溅射。

可选地，所述阻挡面为亲水性表面。

可选地，所述阻挡面与所述凹部远离所述基座的侧壁平行设置；所述凸部与所述阻挡面相对的背面、所述第一遮挡罩的上表面与所述第一处理组件的下表面之间形成所述工作间隙。

可选地，所所述阻挡面与所述待处理晶圆的表面之间的夹角介于20-40°之间；所述待处理晶圆靠近所述阻挡面的一端与所述阻挡面之间的距离介于10-15mm之间；凹部的深度介于3-5mm之间；凸出部相对于形成的工作间隙的下表面的延伸长度介于6-8mm之间；工作间隙的高度介于8-10mm之间。

可选地，所述凹部的截面形状包括梯形或三角形；所述反应液喷口位于在所述基座与所述凹部之间的区域。