[发明专利]一种机载显示器上电冲击电流抑制电路

说明书

本公开实施例中提供了一种机载显示器上电冲击电流抑制电路，包括第一热敏电阻(R1)、第一P沟道MOSFET(Q1)、第一PNP晶体管(Q2)、第二NPN晶体管(Q3)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一电阻(R2)、第二电阻(R3)、第三电阻(R4)、第四电阻(R5)、第五电阻(R6)。本发明提出的电路可以适用于所有航空电子设备，将本电路串联在电源输入和滤波电容/储能电容之间，可以有效抑制上电冲击电流，从而提高航空电子设备的可靠性及稳定性。

技术领域

本公开涉及航空电子设备技术领域，尤其涉及一种机载显示器上电冲击电流抑制电路。

背景技术

在航空电子领域，航空电子设备从飞机电源系统取电，对于飞机的电源系统来说是用电设备，航电设备大都设计有滤波电路，一般在电源输入端设计有大容量的电容或储能电容。目前机载显示器均有掉电保持功能，因此在产品设计时内部会有很大的储能电容，以满足显示器掉电保持功能，由于电容在上电前端电压为零，电源输入端回路的阻抗较低，在上电瞬间为电容充电，充电电流非常大，产生很大的浪涌电流。过大的浪涌电流会对飞机电源系统产生很大压力。可能造成设备无法启动，甚至对电源系统造成破坏。

为了避免上述问题，必须对航电设备在上电时的浪涌电流进行控制，为此也制定了许多强制性的航空标准，在标准中，对航电设备的上电浪涌电流进行了规定，航空电子设备在设计时必须保证满足相关标准。当前，尚无非常有效的方法来解决上电浪涌电流的抑制问题:传统的串联固定电阻、热敏电阻等方法均存在缺陷，例如其无法解决抑制电流峰值与正常稳态值之间的矛盾，无法解决稳态工作时限流电阻耗散功率过大，以及限流电阻压降过大的问题:特别是其无法精确抑制浪涌电流峰值，使得电路的工作具有不确定性。另一种传统的方法是采用电阻限流，延时短路电阻，这种方法无法判断后级负载电容的充电状态，简单的通过延迟后强制短路电阻，仍然可能造成较大的浪涌电流，并对开关触电造成破坏，而且无法适应不同大小容量的容性负载。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种机载显示器上电冲击电流抑制电路，该抑制电路可以有效抑制航空电子设备上电瞬间产生冲击电流对电路及电源系统产生的危害，提高航空电子设备可靠性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种机载显示器上电冲击电流抑制电路，包括第一热敏电阻(R1)、第一P沟道MOSFET(Q1)、第一PNP晶体管(Q2)、第二NPN晶体管(Q3)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一电阻(R2)、第二电阻(R3)、第三电阻(R4)、第四电阻(R5)、第五电阻(R6)；

所述第一热敏电阻(R1)一端与第一P沟道MOSFET(Q1)的s源极连接，另一端和与第一P沟道MOSFET(Q1)D漏极连接；第一P沟道MOSFET(Q1)的栅极G和第二电阻(R3)的一端连接、漏极D和第二电阻(R3)的另一端连接；第一P沟道MOSFET(Q1)的栅极G和第一PNP晶体管(Q2)的集电极C连接，源极S和第一PNP晶体管(Q2)的发射极E连接；第一电阻(R2)一端和第一PNP晶体管(Q2)的基极B连接，另一端和第一热敏电阻(R1)的a端、第一PNP晶体管(Q2)的发射极E、第一P沟道MOSFET(Q1)的S源极连接；第三电阻(R4)的一端和第一PNP晶体管(Q2)的基极B端连接，另一端与第二NPN晶体管(Q3)的集电极C端连接，第二NPN晶体管(Q3)集电极C端和第二电容(C2)的正极连接、第二NPN晶体管(Q3)发射级日端与第二电容(C2)负极均连接，第五电阻(R6)一端和第一P沟道MOSFET(Q1)的栅极G连接，第五电阻(R6)另一端和第二电容(C2)负极、第二NPN晶体管(Q3)发射级E端连接并接地，第一电容(C1)正极和第一热敏电阻(R1)的b端连接，第一电容(C1)负极和第四电阻(R5)的一端连接，第四电阻(R5)的另一端和第二NPN晶体管(Q3)基极B端相连。