[发明专利]一种量子点彩膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种量子点彩膜，其特征在于，所述量子点彩膜包括自下而上依次设置的透明基材、透明导电层、电路和量子点层。

2.根据权利要求1所述的量子点彩膜，其特征在于，所述量子点彩膜的厚度为45～350μm；

优选地，所述透明基材的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、苯乙烯-丙烯腈共聚物或苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述透明基材的透光率≥90％；

优选地，所述透明基材的厚度为12～65μm。

3.根据权利要求1或2所述的量子点彩膜，其特征在于，所述透明导电层的材料包括导电金属氧化物和/或导电高分子材料；

优选地，所述透明导电层的透光率＞83％；

优选地，所述透明导电层的电阻率小于0.001Ω·m；

优选地，所述透明导电层的厚度为0.5～25μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的量子点彩膜，其特征在于，所述量子点层的厚度为15～90μm；

优选地，所述量子点层包括量子点材料；

优选地，所述量子点材料包括红光量子点材料、绿光量子点材料和蓝光量子点材料的组合；

优选地，所述量子点材料包括红光量子点材料和绿光量子点材料的组合；

优选地，所述红光量子点材料包括在蓝光或紫外光激发下发射红光的量子点材料；

优选地，所述绿光量子点材料包括在蓝光或紫外光激发下发射绿光的量子点材料；

优选地，所述蓝光量子点材料包括在蓝光激发下发射蓝光的量子点材料；

优选地，所述红光量子点材料、绿光量子点材料和蓝光量子点材料各自独立地包括A_xM_yE_z体系材料；

其中，A选自Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一种；

M选自S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一种；

E选自为S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一种；

x为0.3～2；

y为0.5～3；

z为0～4。

5.根据权利要求1～4任一项所述的量子点彩膜，其特征在于，所述量子点彩膜包括自下而上依次设置的透明基材、透明导电层、电路和量子点层；

所述透明基材的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、苯乙烯-丙烯腈共聚物或苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物中的任意一种或至少两种的组合，所述透明基材的透光率≥90％，厚度为12～65μm；

所述透明导电层的材料包括导电金属氧化物和/或导电高分子材料，所述透明导电层的透光率＞83％，电阻率小于0.001Ω·m，厚度为0.5～25μm；

所述量子点层的材料包括红光量子点材料、绿光量子点材料和蓝光量子点材料的组合，所述量子点发光层的厚度为15～90μm。

6.一种如权利要求1～5任一项所述量子点彩膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)在透明基材上制备透明导电层，在所述透明导电层上根据像素点排布涂覆抗蚀刻材料，对涂覆抗蚀刻材料的透明导电层进行蚀刻，使相应位置漏出透明基材为止，对剩余抗蚀刻材料进行剥离、清洗，在所述透明导电层上安装电路，得到基板；

(2)将步骤(1)得到的基板上通过电沉积法制备量子点层，得到所述量子点彩膜。