[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和

(b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在所述第2基底的表面形成膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给催化剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给含硅及卤素气体。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数：向所述衬底供给含硅及卤素气体和催化剂的工序；和向所述衬底供给所述含氧及氢气体和催化剂的工序。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将(b)中的所述衬底的温度设为(a)中的所述衬底的温度以下。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使(b)中的所述衬底的温度低于(a)中的所述衬底的温度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以将选择性提高的方式进行控制。

8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以使得膜的形成速率降低的方式进行控制。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)向选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底供给氧化剂或自由基，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)将选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底的温度设为(b)中的所述衬底的温度以上，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)使选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底的温度高于(b)中的所述衬底的温度，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行(a)之前，还具有(d)用羟基对所述第1基底的表面进行封端的工序。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述烃基包含烷基。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述烃基包含烷基甲硅烷基。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含烃基气体还包含氨基。

16.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氧及氢气体为H₂O气体。

17.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底为氧化膜，所述第2基底为氧化膜以外的其他膜。

18.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在非等离子体的气氛下进行(a)及(b)。