[发明专利]电子部件在审

专利信息
申请号: 202011524887.6 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN113053609A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 若林博孝 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H01F1/06 分类号: H01F1/06;H01F5/00;H01F27/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件
【说明书】:

本发明提供能够抑制导体与外部电极之间的杂质原子的迁移的电子部件。作为电子部件的线圈部件(1)包括:基体(10);导体(25);与导体(25)电连接的外部电极(21);与导体(25)电连接的外部电极(22);和位于导体(25)与外部电极(21)之间的金属膜(23),当将金属膜(23)中含有的一个金属颗粒(MP)的、与交界面(BI)平行的方向上的尺寸设为a,将该一个金属颗粒(MP)的、与交界面(BI)垂直的方向上的尺寸设为b时,b/a的平均值为0.8以上1.2以下。

技术领域

本说明书的发明涉及一种电子部件。

背景技术

作为电子部件,已知有例如电感器等的线圈部件。现有技术的线圈部件典型地包括:由磁性材料构成的磁性基体;设置在该磁性基体内的、绕线圈轴卷绕的导体;和连接于该导体的端部的外部电极。该线圈部件例如通过使用焊料将外部电极与基板电连接而安装,能够作为各种各样的电子设备的部件使用。现有技术的线圈部件例如在专利文献1中被公开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2019-140371号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在电子部件的导体与外部电极之间,由于热或者电压施加等,有时发生焊料等中含有的杂质原子的迁移(migration)。当发生迁移时,由于杂质原子与导体或构成外部电极的材料形成合金,在导体和/或外部电极形成中空(void)。其结果是,存在导体与外部电极的接合强度降低这样的问题。

本发明的目的之一在于,提供能够抑制在导体与外部电极之间的杂质原子的迁移的电子部件。本发明的除此以外的目的,通过说明书整体的记载能够来明确。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个实施方式的电子部件,其包括:基体;设置于基体的内部或者外部的导体;与导体电连接的第一外部电极;与导体电连接的第二外部电极;和位于导体与第一外部电极之间的金属膜,当将金属膜中含有的一个金属颗粒的、与导体和金属膜的交界面平行的方向上的尺寸设为a,将该一个金属颗粒的、与交界面垂直的方向上的尺寸设为b时,b/a的平均值为0.8以上1.2以下。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,导体与金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,在导体与金属膜之间具有氧化膜,氧化膜的厚度为200nm以下。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,在与交界面垂直的方向上,位于导体侧的金属颗粒的粒径比位于第一外部电极侧的金属颗粒的粒径小。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,金属膜为溅射膜。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,金属膜中含有的金属颗粒彼此的界面上的空隙,为5个构成金属颗粒的原子的相应量以下。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,金属膜包含Cu、Ag、或者含有Cu和Ag的至少一者的合金。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,包括位于导体与第二外部电极之间的其他金属膜,当将其他金属膜中含有的一个金属颗粒的、与导体和其他金属膜的其他交界面平行的方向上的尺寸设为a,将该一个金属颗粒的、与其他交界面垂直的方向上的尺寸设为b时,b/a的平均值为0.8以上1.2以下。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,导体与其他金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。

在本发明的一个实施方式中,也可以为,在导体与其他金属膜之间具有其他氧化膜,其他氧化膜的厚度为200nm以下。

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