[发明专利]形成EUVL防尘薄膜的方法在审
申请号: | 202011525399.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113093471A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | M·蒂默曼斯;C·惠耿巴尔特;I·波兰迪亚;E·查普曼斯;E·加拉赫 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 王颖;蔡文清 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 euvl 防尘 薄膜 方法 | ||
1.一种形成EUVL防尘薄膜的方法,所述方法包括:
对碳纳米管CNT膜片进行涂覆;以及
将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上,
其中,对CNT膜片进行涂覆包括:
用种子材料对膜片的CNT进行预涂覆;以及
在预涂覆的CNT上形成外涂层,外涂层覆盖了预涂覆的CNT,外涂层的形成包括:通过原子层沉积使得涂料材料沉积在预涂覆的CNT上。
2.如权利要求1所述的方法,其中,使种子材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选0.5nm至3nm、更优选1nm至2nm的种子层。
3.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,种子材料以0.7埃/秒或更低的速率沉积。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,使涂料材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选1nm至2nm的外涂层。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,种子材料选自下组:C、Zr、ZrN、Hf、HfN、B、B4C、BN、Y、YN、La、LaN、SiC、SiN、Ti、TiN、W、Be、Au、Ru、Al、Mo、MoN、Sr、Nb、Sc、Ca、Ni、Ni-P、Ni-B、Cu、Ag。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,涂料材料是Zr、Al、B、C、Hf、La、Nb、Mo、Ru、Si、Ti或Y,或者它们的碳化物、氮化物或氧化物。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,种子材料和涂料材料选自下组:Zr种子材料和ZrO2涂料材料;B种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料;B4C种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料;Zr种子材料和Al2O3涂料材料或ZrAlOx涂料材料;钼种子材料和ZrO2涂料材料。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,用种子材料对CNT进行预涂覆包括:通过物理气相沉积使种子材料沉积。
9.如权利要求8所述的方法,其中,种子材料通过热蒸发、电子束蒸发或远程等离子体溅射来进行沉积。
10.如权利要求8-9中任一项所述的方法,其中,用种子材料对CNT进行预涂覆包括:从膜片的第一侧沉积种子材料,然后从膜片的第二相对侧沉积种子材料。
11.如权利要求10所述的方法,其中,在沉积工具中进行预涂覆,所述沉积工具包括对膜片进行支撑的基材支架,并且其中,在基材支架连续旋转期间进行种子材料的沉积。
12.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中,用种子材料对CNT进行预涂覆包括:通过电化学沉积或电镀使种子材料沉积。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,通过热原子层沉积使涂料材料进行沉积。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在安装到防尘薄膜框架之前对CNT膜片进行涂覆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会,未经IMEC非营利协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011525399.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备