[发明专利]使用硅通孔的增强型基底管芯热路径在审
申请号: | 202011525744.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113284859A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | W·伯特兰德;K·阿林顿;S·德瓦塞纳蒂帕菲;A·麦克坎;N·尼尔;万志敏 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈开泰;姜冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 硅通孔 增强 基底 管芯 路径 | ||
1.一种封装,包括:
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的第一管芯;
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的第二管芯,其中所述第一管芯的所述第一侧与所述第二管芯的所述第二侧耦合;
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的热块,其中所述热块的所述第二侧与所述第一管芯的所述第一侧热耦合;并且
其中所述热块要将所述第一管芯的所述第一侧热耦合到所述热块的所述第一侧。
2.如权利要求1所述的封装,其中所述热块包括从所述热块的所述第一侧延伸到所述热块的所述第二侧以便将所述热块的所述第一侧与所述热块的所述第二侧热耦合的一个或多个导热特征。
3.如权利要求2所述的封装,其中所述一个或多个导热特征之一包括从铜、焊料、锡、银或金中选择的一种。
4.如权利要求2所述的封装,其中所述热块的所述第二侧处的所述一个或多个导热特征分别与所述第一管芯中的一个或多个热源对准。
5.如权利要求2所述的封装,其中所述一个或多个导热特征是填充有导热材料的孔。
6.如权利要求1、2、3、4或5所述的封装,其中所述热块是从管芯、伪管芯或模塑件中选择的一种。
7.如权利要求1、2、3、4或5所述的封装,其中所述第一管芯包括延伸到所述第一管芯的所述第一侧并且与所述热块的所述第二侧热耦合的一个或多个导热特征,其中所述第一管芯内的热量要经由所述一个或多个导热特征流到所述热块。
8.如权利要求7所述的封装,其中所述第一管芯的所述一个或多个导热特征位于所述第一管芯的硅区域内。
9.如权利要求1、2、3、4或5所述的封装,其中所述热块是第一热块;并且进一步包括:
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的第二热块,其中所述第二热块的所述第二侧与所述第一管芯的所述第一侧热耦合;并且
其中所述第二热块要将所述第一管芯的所述第一侧热耦合到所述第二热块的所述第一侧。
10.如权利要求1、2、3、4或5所述的封装,进一步包括:与所述热块的所述第一侧热耦合的散热器。
11.如权利要求10所述的封装,进一步包括位于所述散热器和所述热块的所述第一侧之间以利于在所述热块的所述第一侧中在所述散热器之间的导热性的热界面材料。
12.一种方法,包括:
耦合具有与第一侧相对的第二侧的第一管芯的所述第一侧与具有与第二侧相对的第一侧的第二管芯的所述第二侧;
将热块耦合到所述第一管芯的所述第一侧,其中所述热块包括用于将所述热块的所述第一侧与所述热块的所述第二侧热耦合的一个或多个导热特征。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述一个或多个导热特征包括硅通孔(TSV)。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述一个或多个导热特征是填充有导热材料的孔。
15.如权利要求12、13或14所述的方法,其中所述导热材料包括从铜、焊料、锡、银或金中选择的一种。
16.一种系统,包括:
衬底;
第一管芯的第一侧,其中与所述第一侧相对的第二侧耦合到所述衬底;
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的第二管芯,其中所述第一管芯的所述第一侧与所述第二管芯的所述第二侧耦合;
具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的热块,其中所述热块的所述第二侧与所述第一管芯的所述第一侧热耦合;并且
其中所述热块要将所述第一管芯的所述第一侧热耦合到所述热块的所述第一侧。
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