[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置

权利要求书

1.一种半导体结构的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体结构，所述半导体结构中具有呈周期性排布的多个重复结构单元；

发射一检测光至所述半导体结构，获取经所述半导体结构衍射的空间衍射光强数据，所述空间衍射光强数据包括多个衍射光强以及与多个衍射光强一一对应的多个二维空间坐标；

对所述空间衍射光强数据进行傅里叶变换处理，得到多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样；

根据所述样品衍射图样的光强分布获取所述半导体结构相对于预设基准线的偏转角度；

根据所述偏转角度旋转所述半导体结构；

拍摄所述半导体结构的图像。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，发射一检测光至所述半导体结构的具体步骤包括：

放置所述半导体结构于一样品台上；

发射一检测光，使得所述检测光沿竖直向下的方向照射所述半导体结构。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，用于发射所述检测光的检测光源为KrF气体激光光源、ArF气体激光光源或者X射线光源。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，获取经所述半导体结构衍射的空间衍射光强数据的具体步骤包括：

获取经所述半导体结构衍射的原始衍射光强数据；

对所述原始衍射光强数据进行二维空间分布处理，获取空间衍射光强数据。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，对所述空间衍射光强数据进行傅里叶变换处理的具体步骤包括：

以所述二维空间坐标为自变量对所述衍射光强进行傅里叶变换处理，得到傅里叶变换数据。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，得到多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样的具体步骤包括：

自所述傅里叶变换数据中提取具有固定频率的一组光强信号，作为目标光强信号；

根据所述目标光强信号获取多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，根据所述样品衍射图样的光强分布获取所述半导体结构相对于预设基准线的偏转角度的具体步骤包括：

定义所述样品衍射图样中各阶光斑光强最大点的连线为取向基准线；

获取所述取向基准线与所述预设基准线之间的夹角，以所述夹角作为偏转角度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，拍摄所述半导体结构的图像的具体步骤包括：

采用透射电子显微镜拍摄所述半导体结构的图像。

9.一种半导体结构的分析装置，其特征在于，包括：

检测光源，用于向一半导体结构发射检测光，所述半导体结构中具有呈周期性排布的多个重复结构单元；

第一处理模块，用于获取经所述半导体结构衍射的空间衍射光强数据，所述空间衍射光强数据包括多个衍射光强以及与多个衍射光强一一对应的多个二维空间坐标；

第二处理模块，连接所述第一处理模块，用于对所述空间衍射光强数据进行傅里叶变换处理，得到多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样；

第三处理模块，连接所述第二处理模块，用于根据所述样品衍射图样的光强分布获取所述半导体结构相对于预设基准线的偏转角度；

旋转模块，连接所述第三处理模块，用于根据所述偏转角度旋转所述半导体结构。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，还包括：

样品台，用于放置所述半导体结构；

所述检测光源发射的检测光沿竖直向下的方向照射所述半导体结构。

11.根据权利要求9所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述检测光源为KrF气体激光光源、ArF气体激光光源或者X射线光源。