[发明专利]含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶组合物有效

专利信息
申请号: 202011526905.4 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112592303B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 齐国强;顾大公;毛智彪;许从应;余绍山;许东升 申请(专利权)人: 宁波南大光电材料有限公司
主分类号: C07C321/30 分类号: C07C321/30;C07C319/20;C07C303/32;C07C309/04;C07C309/30;G03F7/004
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 315800 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 含双鎓盐 结构 光致产酸剂 制备 方法 光刻 组合
【权利要求书】:

1.一种含双鎓盐结构的光致产酸剂的制备方法,其特征在于:包括:

S11:在保护气体中,将二芳基亚砜和二芳基硫醚以一定的比例于反应釜中溶于第一有机溶剂,得到混合溶液,并将所述反应釜冷却至一定温度;

S12:向所述反应釜中滴加磺酸酐,反应一段时间后,加入水停止反应,提取有机相,脱溶至恒重,得到化合物A;

S13:将所述化合物A 和磺酸盐溶于第二有机溶剂中,混合后搅拌,加入水,继续搅拌,脱溶得到浑浊水相,萃取,再脱溶得到含双鎓盐结构的光致产酸剂;

所述二芳基亚砜、二芳基硫醚及所述磺酸酐的质量比为(1.5~2.5):(0.5~1.5):(1~2);

所述的含双鎓盐结构的光致产酸剂的结构通式如下式(I)所示:

式(I);

其中,n=0或1或2,

R1-R6为H;

M-阴离子和Q-阴离子为磺酸阴离子;所述磺酸阴离子为全氟丁基磺酸阴离子、全氟辛基磺酸阴离子、对甲苯磺酸阴离子或樟脑磺酸阴离子;

所述磺酸酐为三氟甲磺酸酐。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述磺酸盐为全氟丁基磺酸盐、全氟辛基磺酸盐、对甲苯磺酸盐或樟脑磺酸盐。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述温度为-30-30℃。

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